型号:

SBDD10100CT

品牌:CJ(江苏长电/长晶)
封装:TO-252-2L
批次:25+
包装:-
重量:0.453g
其他:
-
SBDD10100CT 产品实物图片
SBDD10100CT 一小时发货
描述:肖特基二极管 1对共阴极 770mV@5A 100V 10A TO-252-2
库存数量
库存:
2136
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.49896
2500+
0.459
产品参数
属性参数值
二极管配置1对共阴极
正向压降(Vf)770mV@5A
直流反向耐压(Vr)100V
整流电流10A
反向电流(Ir)2uA@100V
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)120A

SBDD10100CT 产品概述

一、产品简介

SBDD10100CT 是江苏长电(CJ/长晶)出品的一款肖特基功率二极管器件,内部为一对共阴极(common cathode)肖特基二极管,封装为 TO-252-2L(常见的 DPAK 风格表面贴装封装)。该器件针对功率整流与开关电源的快速恢复与低损耗要求设计,具有低正向压降、高整流能力及良好的浪涌承受能力,适合在对效率与热管理有一定要求的电源、电机驱动与车规辅助电源等场合使用。

二、主要特性

  • 器件类型:肖特基二极管(Schottky)
  • 配置:1 对共阴极(两个二极管的阴极内部连在一起)
  • 正向压降:典型 Vf = 770 mV @ 5 A
  • 直流反向耐压:Vr = 100 V
  • 额定整流电流:Io = 10 A(连续)
  • 反向漏电流:Ir = 2 μA @ 100 V(典型/最大值需参照完整数据表)
  • 非重复峰值浪涌电流:Ifsm = 120 A(通常按 8.3 ms 半波单次浪涌测试条件)
  • 封装:TO-252-2L(表面贴装,便于自动贴装与波峰/回流焊接)

三、电气性能要点

SBDD10100CT 的正向压降在中高电流(如 5 A)下约 0.77 V,较普通硅整流二极管更低的 Vf 可显著减小整流与开关损耗,从而提高转换效率并降低发热。100 V 的反向耐压使其适用于 48 V 及以下常见电源总线(含一定裕度)的整流与续流回路。低至微安量级的反向漏电流有利于高效率待机与低功耗场景。

非重复峰值浪涌 120 A 给出器件在短时启动或意外短路浪涌时的承受能力,但在实际设计中仍需配合保护电路或熔断器以避免频繁的过载冲击。

注意:以上为关键指标,完整的温度相关特性、最大结温、动态电阻、热阻等参数请参考厂方完整数据手册以便做精确的热设计与安全裕度评估。

四、封装与散热注意事项

TO-252-2L 为表面贴装功率封装,具有较低的热阻并利于 PCB 铜箔散热。使用时建议:

  • 在 PCB 下方和顶层提供足够的散热铜箔,并通过多层过孔(thermal vias)导通至内层或底层散热平面;
  • 按厂方推荐的焊盘尺寸进行布局,以保证焊点可靠性与热传导;
  • 在高连续电流(接近额定 10 A)情况下,需评估结温(Tj)并保证在额定环境下有适当的散热裕度;
  • 焊接工艺采用符合无铅回流曲线的温度曲线,避免超温导致器件寿命下降。

五、典型应用场景

  • 开关电源输出整流(同步整流替代或并联使用以降低损耗)
  • DC-DC 转换器的续流二极管或自由轮二极管
  • 汽车电子辅助电源(需根据车规要求确认等级)
  • 电机驱动与逆变器的快速恢复路径
  • 充电器与电源模块的高效率整流应用

六、设计与使用建议

  • 根据实际工作电流选择器件余量,建议持续工作电流留有 20% 以上裕度,避免长期在额定值附近运行;
  • 若应用有较大反复冲击或频繁浪涌,考虑在输入侧增加合适的限流或熔断保护,或并联多只器件以分摊冲击电流;
  • 对于高压瞬态,应配合 TVS 或 RC 吸收网络抑制反向电压尖峰,防止超出 Vr 导致击穿;
  • 在双管共阴极配置中,注意管脚连接与方向,避免接错造成回路短路。

七、可靠性与质量

江苏长电(CJ/长晶)为国内较为成熟的半导体制造与封装供应商,产品在品质控制与批次一致性上具备一定保障。具体的寿命评估、温度循环与焊接可靠性数据请参阅厂方的可靠性报告或向代理/厂方索取相关测试记录以满足特定行业认证需求(如车规、医疗等)。

八、订购与替代件建议

型号:SBDD10100CT,品牌:CJ(江苏长电/长晶),封装:TO-252-2L。购买前建议确认完整数据手册并向供应商索取样片或试产批次以验证在目标电路中的实际表现。如需更高耐压或更低正向压降,可考虑其它厂商的同类肖特基二极管或并联/并行方案,但需注意均流与热管理问题。

备注:本文侧重概述与设计参考,最终电路实现应以器件完整数据手册与具体测试为准。