US1J（SMAG）超快恢复二极管 产品概述

一、概述

US1J 是江苏长电（CJ）生产的一款超快恢复整流二极管，封装为 SMAG 表面贴装形式，面向开关电源、功率整流与保护电路等中高压、高速开关场合。该器件在 600V 反向耐压下，提供 1A 的连续整流电流能力，并具有较短的反向恢复时间，适用于提高开关转换效率、降低开关损耗的电源设计。

二、主要参数

• 型号：US1J（品牌：CJ / 江苏长电）
• 封装：SMAG（表面贴装）
• 正向压降 Vf：1.7V @ IF = 1A
• 直流反向耐压 Vr：600V
• 连续整流电流 IF(AV)：1A
• 反向电流 Ir：典型 5 μA（在额定 Vr 下）
• 反向恢复时间 Trr：75 ns
• 非重复峰值浪涌电流 Ifsm：30A
• 工作结温范围：-55℃ ~ +150℃

三、特性与优势

• 超快恢复：Trr≈75ns，使二极管在开关转换过程中反向恢复时间较短，能够减少开关损耗与过冲，适合较高开关频率的电源设计。
• 高电压耐受：600V 的反向耐压能满足多数中高压整流与回流保护场合（如离线电源、功率因数校正等）。
• 良好浪涌能力：30A 的非重复峰值浪涌电流允许器件承受开机或短时过载的冲击。
• 宽工作温度：-55℃ ~ +150℃ 的结温范围，适应工业级环境与较苛刻的温度条件。
• 小型 SMD 封装：SMAG 适合自动化贴片与高密度 PCB 布局，便于大批量生产与工艺一致性。

四、典型应用场景

• 开关电源（SMPS）中的输出整流或反向回流二极管
• 功率因数校正（PFC）电路中的高压整流单元
• 逆变器与电机驱动的保护与回生整流
• 充电器、适配器中的高压整流与浪涌保护
• 通用整流、极性保护与钳位电路

五、使用注意事项

• 正向压降与效率：Vf 在 1A 时约 1.7V，相比同类肖特基二极管较高，若目标是极低损耗或低压差整流（比如在低电压大电流场合），可优先考虑肖特基器件；US1J 更适合高压、开关频率下兼顾恢复特性的场合。
• 反向漏流随温度上升显著增加：标称 5 μA 为典型值，实际在高温下会显著增大，电路设计应考虑温升与漏电后果（如自热与静态功耗）。
• 开关过冲与 EMI：尽管 Trr 较短，但在高 dv/dt 场合仍可能产生过冲与电磁干扰，建议在必要时配合 RC 阻尼或 TVS 钳位等保护措施。
• 浪涌限流：Ifsm 为单脉冲峰值能力，在反复或长时间浪涌情形下需做好热量与应力余量设计，避免超出热极限。

六、封装与热管理建议

• SMAG 封装适合表面贴装生产，焊盘设计应按制造商推荐的焊盘与回流曲线执行，保证焊接可靠性。
• 虽然额定连续电流为 1A，但器件热阻与 PCB 散热能力直接影响可持续电流能力。建议在高平均功率工作下增大铜箔面积、采用散热孔或接地铜平面以降低结温。
• 在靠近热源或受限空间内使用时，要验证结温在最坏工况下仍在安全范围内（<150℃），并对长期可靠性进行评估。

七、选型建议

• 若需求为高压（≥600V）且工作频率中等至偏高，同时需要比普通恢复二极管更短的 Trr，US1J 是性价比较高的选择。
• 对于更高频、低压降需求的场合，可考虑肖特基或更快的超快恢复器件；对更高功率或重复大浪涌场景，考虑更大封装或更高 Ifsm 等级的型号。
• 购买与替换时，请参考 CJ 提供的完整数据手册（典型特性曲线、热模型及封装图），并与实际 PCB 工艺、热设计及可靠性要求对照验证。

总结：US1J（SMAG）以其 600V 耐压、75ns 的超快恢复和紧凑表贴封装，适用于大量工业与消费类电源整流与保护场景。在使用中需关注正向压降与温度相关的漏电特性，并做好热管理与浪涌保护设计。