TK100E10N1,S1X（TOSHIBA）产品概述

一、产品概览

TK100E10N1,S1X 为东芝（TOSHIBA）出品的高功率 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-220 封装，针对中高功率开关与线性应用优化设计。器件额定漏源电压 100V，具有极低的导通阻抗和较高的电流能力，适合开关电源、逆变器、电机驱动及电源保护等场合。

二、主要电气参数

• 漏源电压 Vdss：100V
• 导通电阻 RDS(on)：3.4 mΩ（Vgs = 10V）
• 门极电荷 Qg：约 140 nC（Vgs = 10V）
• 阈值电压 Vgs(th)：约 4V（Igs = 1.0 mA）
• 耗散功率 Pd：255 W（在标准散热条件下）
• 额定电流：标称设计面向 100A 等级应用；短脉冲或特定测试条件下脉冲电流可达约 207A（需参考具体数据手册和热条件）

三、性能特点与优势

1. 低导通损耗：3.4 mΩ 的低 RDS(on) 在大电流工作时显著降低导通损耗，提高效率，适合高效率开关拓扑。
2. 高功率承载：TO-220 便于安装散热器与铝基板，Pd 值在良好散热条件下可支持较高平均功率耗散。
3. 驱动与开关考虑：门极电荷较大（140 nC），意味着开关时需要较强驱动能力，门极驱动器应能提供足够电流以保证开关速度与损耗平衡。
4. 通用适配：100V 额定适用于多数电源和电机驱动电压等级，替换与维护方便。

四、典型应用场景

• 开关电源（SMPS）与同步整流
• 电机驱动（无刷/有刷）与电子节能控制
• 不间断电源（UPS）、逆变器与太阳能逆变系统
• 工业控制与电源保护电路

五、设计与使用建议

• 门极驱动：推荐使用 10V 有源门极驱动，门极上串入适当阻值（10–47Ω）以控制 dv/dt 并抑制振铃。
• 散热管理：TO-220 应配合合适散热器或强制风冷，注意热阻和结温限制，必要时并联使用并做好均流设计。
• PCB 布局：漏—源电流回路尽量短、粗、低阻，源极接地应考虑 Kelvin 接法以提高测量与控制精度。
• 保护措施：对高压开关场合建议加速放电电阻、RC 吸收或 TVS，避免重复击穿与过压应力。
• 并联使用时需匹配 RDS(on) 与热阻，采用源均流电阻或单独散热保证均流。

六、封装与采购信息

封装：TO-220，单一 N 沟道晶体管。品牌：TOSHIBA（东芝）。适合需要易安装与更换的工程环境。具体器件完整电气特性、脉冲曲线与热阻等请参考官方数据手册并按应用环境做热仿真与安全裕量设计。

如需针对您的电源或驱动方案进行散热估算、并联方案或门极驱动器匹配建议，可提供工作电压、负载电流与开关频率等参数，我可协助做更具体的设计建议。