型号:

PESD5V0X1BL-N

品牌:BORN(伯恩半导体)
封装:DFN1006
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
PESD5V0X1BL-N 产品实物图片
PESD5V0X1BL-N 一小时发货
描述:TVS二极管 PESD5V0X1BL-N DFN-1006
库存数量
库存:
9750
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:10000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.121
10000+
0.11
产品参数
属性参数值
极性双向
反向截止电压(Vrwm)5V
钳位电压20V
峰值脉冲电流(Ipp)7A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)120W@8/20us
反向电流(Ir)100nA
通道数单路
防护等级IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容0.7pF

PESD5V0X1BL-N 产品概述

一、产品简介

PESD5V0X1BL-N 是 BORN(伯恩半导体)推出的一款单路双向 TVS 二极管,采用 DFN-1006 超小封装,专为 5V 系统与高速信号线的静电防护设计。该器件在满足 IEC 61000-4-2 标准的同时,具备低结电容和极低漏电流,适用于移动设备、接口端口和各种电子模块的瞬态浪涌与 ESD 防护。

二、主要电气参数

  • 极性:双向(适合交流或差分信号保护)
  • 反向截止电压 Vrwm:5 V(工作电压等级)
  • 钳位电压:20 V(在规定脉冲条件下的典型钳位)
  • 峰值脉冲电流 Ipp:7 A @ 8/20 μs
  • 峰值脉冲功率 Ppp:120 W @ 8/20 μs
  • 反向电流 Ir:100 nA(低漏电,适合待机功耗敏感应用)
  • 通道数:单路
  • 防护等级:符合 IEC 61000-4-2 ESD 要求
  • 结电容 Cj:0.7 pF(极低电容,保持信号完整性)
  • 封装:DFN1006(超小尺寸,有利于高密度 PCB 布局)

三、功能特点与优势

  • 双向保护:可在正负方向对称钳制突波,适用于差分和双向信号线。
  • 低电容:0.7 pF 的结电容对高速数据线影响微小,适合 USB、触摸屏接口、I/O 信号线等高速/高频应用。
  • 高瞬态能量吸收能力:在 8/20 μs 波形下可承受 7 A 脉冲电流与 120 W 峰值功率,能够有效吸收雷击、开关冲击等瞬态能量。
  • 低漏电流:100 nA 的反向电流保证待机功耗低,适合便携式与低功耗系统。
  • 小体积封装:DFN1006 有利于空间受限产品的布板与多通道保护部署。

四、典型应用场景

  • USB、Micro-USB、Type-C 等 5V 接口的端口保护。
  • 移动终端、可穿戴设备和便携式电子产品的 I/O 口防护。
  • 工业控制、家电与车载电子中对单路信号的 ESD 防护。
  • 高速数据线和差分对的保护场合,需兼顾信号完整性的场景。

五、布局与使用建议

  • 将 TVS 尽量靠近被保护的端口或连接器放置,以缩短 ESD 电流回路。
  • 为获得最佳放电路径,器件的接地端应采用多过孔接地或靠近大地平面连接,确保低阻抗回路。
  • 对于差分信号,推荐在两条线之间并联使用双向 TVS 或按资料中的推荐接法布置。
  • 注意焊接与回流工艺的温度曲线,避免过热影响器件性能;装配时遵循厂商推荐的 PCB 封装尺寸与焊盘设计。

六、封装与订购信息

  • 品牌:BORN(伯恩半导体)
  • 型号:PESD5V0X1BL-N
  • 封装:DFN1006(超小型)
  • 通道数:单路,双向 ESD 类型

PESD5V0X1BL-N 以其小尺寸、低电容和高脉冲吸收能力,为要求空间紧凑且需保持信号完整性的 5V 接口提供可靠的瞬态防护解决方案。购买与选型时,请参考具体的器件数据手册以获取详细的电压-电流曲线、钳位特性及 PCB 推荐封装尺寸。