FDN335N 产品概述

一、简要描述

FDN335N（品牌：HUASHUO/华朔）是一款单片N沟道增强型场效应晶体管，封装为SOT-23，适用于低压、大电流开关与功率管理场合。器件额定漏源电压为20V，连续漏极电流3A，具有较低的导通电阻和小型封装，适合便携设备与板级电源开关应用。

二、主要电气参数

• 类型：N沟道 MOSFET（单只，数量：1）
• 漏源电压 Vdss：20V
• 连续漏极电流 Id：3A
• 导通电阻 RDS(on)：60mΩ @ Vgs=4.5V（在2.5A条件下）
• 阈值电压 Vgs(th)：约1V
• 总栅电荷 Qg：3.5nC @ Vgs=4.5V
• 输入电容 Ciss：180pF
• 输出电容 Coss：39pF
• 反向传输电容 Crss：20pF
• 功耗 Pd：710mW（封装热限制，实际需按PCB散热条件换算）
• 工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
• 封装：SOT-23

三、性能亮点

• 低导通电阻：在4.5V栅压下RDS(on)仅60mΩ，有助于减小导通损耗，适合低压大电流寄生电阻敏感场合。
• 低阈值且小输入电荷：Vgs(th)≈1V，Qg=3.5nC，便于在较低驱动电压下实现开通并减少驱动损耗。
• 小型封装：SOT-23适合高密度PCB设计与便携式设备，但需重视封装的热性能限制。

四、典型应用场景

• 电池管理与负载开关（低压供电系统、移动设备）
• DC-DC转换器的低侧开关或同步整流（需评估开关频率与Qg）
• LED驱动、继电器替代开关、小功率电机驱动（起动或短时高峰电流需关注热限制）
• 电源保护与反向保护电路

五、使用建议与注意事项

• 热管理：SOT-23的额定功耗为710mW，实务中应通过扩大铜箔散热、加热沉或在PCB下方加焊盘/过孔来提升散热能力，避免长时间满载运行。
• 驱动电压：若用于开关频率较高的场合，建议保证Gate驱动能达到4.5V以上以获得低RDS(on)；高频开关时需考虑Qg带来的开关损耗。
• 布局：尽量缩短源、漏走线，增大散热铜箔，门极串联小电阻（如10–100Ω）可抑制振铃并限制驱动瞬态电流；必要时并联肖特基二极管或TVS保护以防反向尖峰。
• 电路拓扑：FDN335N更适合用作低侧开关；若用于高侧开关，应配合升压栅驱或选择专用高侧驱动器。
• 可靠性：工作环境温度、焊接工艺与过电流保护都会影响寿命，设计时建议适当留有余量并进行热仿真验证。

六、总结

FDN335N（HUASHUO/华朔）在20V、3A级别的低压功率控制中表现均衡，低RDS(on)与适中的栅电荷使其在便携式电源、负载开关与小功率电源管理场合具有良好性价比。使用时应重点考虑SOT-23封装的热限和开关损耗，合理布板与驱动设计可充分发挥其优势。