FDN338P 产品概述

一、概述

FDN338P 是一颗 P 沟道场效应管（MOSFET），由 HUASHUO（华朔）提供，采用 SOT-23-3 小封装，面向空间受限且需要高侧开关或反向保护的便携与通信类电路。器件额定漏源电压 Vdss 为 20V，连续漏极电流 Id 3A（封装和散热条件限定），适合中低电压电源管理与负载开关场景。

二、主要参数

• 极性：P 沟道 MOSFET，数量：1 个
• 漏源电压 Vdss：20 V
• 连续漏极电流 Id：3 A（封装与散热受限）
• 导通电阻 RDS(on)：130 mΩ @ Vgs = -2.5 V（测试电流 2 A）
• 耗散功率 Pd：1 W（SOT-23 封装限制）
• 阈值电压 Vgs(th)：约 300 mV（小电流时导通起始）
• 栅极电荷 Qg：10.1 nC @ 4.5 V（影响开关损耗）
• 输入电容 Ciss：677 pF @ 15 V
• 反向传输电容 Crss：73 pF @ 15 V
• 工作温度范围：-55 ℃ ～ +150 ℃
• 封装：SOT-23-3

三、关键特性与优点

• 低压高侧开关：20V 的 Vdss 适合 5V–12V 系统的高侧开关与电源选择场景。
• 低阈值：Vgs(th) 约 0.3V，有利于在接近地或低电压差时开始导通（注意这仅是开启门槛，不代表低 RDS(on)）。
• 合理的导通电阻：在 Vgs ≈ -2.5V 时 RDS(on) ≈ 130 mΩ，适用于中等电流（数百毫安到 2A 左右）负载。
• 小封装：SOT-23 体积小，便于移动设备与空间受限的电路板设计。

四、典型应用

• 电池供电设备的高侧开关或电源选择开关（反向保护、负载开关）
• 通用信号/功率开关、背光与小型电机驱动（中低功率）
• 模拟前端电路的电源隔离与快速断电保护
• 需要 P 沟道器件以减少外部驱动器件数量的场景

五、使用建议与注意事项

• 门极驱动：作为 P 沟道器件，Vgs 需要为负才能导通（Vg 低于 Vs）。在高侧使用时，须确保门极驱动电压范围在器件允许的 Vgs 极限内，避免超限。
• 开关损耗：Qg = 10.1 nC、Ciss/Crss 较大，开关频率较高时会产生显著的栅极能量与切换损耗，建议在 PWM 或高速开关应用中评估驱动功率并考虑加门阻或驱动缓冲。
• 热设计：SOT-23 Pd 为 1 W，且 RDS(on) 在较高电流时会产生显著发热。举例：在 2 A 时，按 130 mΩ 计算导通损耗约 0.52 W，接近封装极限；实际允许电流受 PCB 铜箔面积、环境温度和散热条件影响，设计时应留裕量并做热仿真或实测。
• 布局建议：为降低寄生电感与热阻，尽量缩短大电流走线并增大铜箔面积；栅极走线加串联小电阻有助于抑制振铃与 EMI。
• 可靠性：尽管器件工作温度范围宽（-55 ～ +150 ℃），长时间高温与高耗散工况会缩短寿命，应避免长期靠近极限。

六、封装与安装

SOT-23-3 适合自动贴装，便于量产。由于该封装散热能力有限，建议在 PCB 设计时预留散热铜箔或使用过孔散热策略，提高可靠电流承载能力。

七、结论与选用建议

FDN338P 在中低压电源管理与高侧开关场景中提供了体积小、门槛低、导通性能适中的解决方案。若目标应用电流在数百毫安到约 2 A、且对体积敏感、开关频率不太高，则该型号是合适的选项。对于更高电流或高频开关场合，应优先考虑更低 RDS(on)、更强散热能力或专用驱动的替代器件。选型时请结合完整数据手册与实际 PCB 热设计进行验证。