BSS84（HUASHUO 华朔）产品概述

一、主要参数

BSS84 为一颗 P 沟道场效应管（MOSFET），封装 SOT-23，适用于低功耗、高侧开关场景。主要参数如下：漏源电压 Vdss = 60V；连续漏极电流 Id = 300mA（器件极限）；导通电阻 RDS(on) = 6Ω @ Vgs = 4.5V、Id = 0.1A；耗散功率 Pd = 350mW；栅极阈值电压 Vgs(th) ≈ 2.5V（以绝对值计，表示在 Vgs ≈ -2.5V 开始导通）；栅极电荷 Qg = 1.8nC @ 4.5V；输入电容 Ciss = 170pF @ 25V；反向传输电容 Crss = 9pF；工作温度范围 -40℃ ~ +150℃。品牌：HUASHUO（华朔），封装：SOT-23，数量：1 只。

二、特性亮点

• 60V 的耐压能力适合中高电压的保护与开关应用；
• 小封装 SOT-23 有利于空间受限的电路板设计；
• 低门极电荷 Qg（1.8nC）与中等输入电容，便于用简单门驱动电路实现较快开关；
• 适用于低至中等电流的高侧开关、反向保护与电源路径切换。

三、典型应用

• 电池管理与电源路径切换（便携设备、仪表）；
• 低功耗负载断开/高侧开关；
• 保护电路（反向保护、阻断故障电流的初级器件）；
• 信号级转换、模拟开关与小功率开关场合。

四、热与功耗注意事项

器件 Pd 为 350mW，在 SOT-23 小封装下散热能力有限。基于标称 RDS(on)=6Ω，可估算在该阻抗下持续电流的热限：I_limit ≈ sqrt(Pd/RDS) ≈ 0.24A（约240mA）。考虑 RDS(on) 随温度上升而增大，实际可靠连续电流应留有裕量，建议连续工作电流不超过约200mA，或在有良好散热与降额策略时使用更高电流。若为间歇脉冲负载，可接受更短时间的更大电流，但需验证结温与脉冲功耗。

五、选型与使用建议

• 门极驱动：作为 P 沟道器件，Vgs 为负值以导通（例如源电位为 +V，其栅电压需低于源电位约 4.5V 以充分导通）。阈值约 2.5V（绝对值），驱动时应确保足够 Vgs 余量以获得期望的 RDS(on)。
• 开关损耗：每次开关的能量近似由 Qg × Vdrive 决定（示例：1.8nC × 4.5V ≈ 8.1nJ），门极驱动功率随开关频率增加。
• 布局与焊接：尽量缩短回流路径、增加铜面积利于散热；避免长期在高环境温度下满额定功耗运行。
• 参考资料：欲获取绝对最大额定值（如 Vgs 最大容许值、脉冲额定等）与典型温度系数，请参阅完整数据手册以获得精确设计边界。

BSS84（华朔）在小体积、高压、低功耗场合具有良好性价比；合理的门驱动与热设计是保证长期可靠工作的关键。