BCR135WH6327XTSA1 产品概述

一、产品简介

BCR135WH6327XTSA1 是英飞凌（Infineon）推出的一款预偏置单个 NPN 双极晶体管，采用 SOT-323 表面贴装封装。器件面向低功耗、小体积开关与小信号放大应用，集成了基极和发射极的预置电阻，便于与微控制器或传感电路直接接口，简化外围电路设计。

二、主要电气参数

• 极限电压：集-射极击穿电压 VCEO = 50 V（最大）。
• 最大集电极电流：IC = 100 mA（最大）。
• 最大耗散功率：Pd = 250 mW（封装和环境有关需热降额）。
• 集电极漏电流（断态）：ICBO ≤ 100 nA（最大），适合低泄漏要求场合。
• 直流电流增益 hFE（最小值）：70 @ IC = 5 mA, VCE = 5 V。
• 转移频率 fT ≈ 150 MHz，适用于高频小信号放大和快速开关。
• 饱和压降 VCE(sat) ≤ 300 mV（典型测量条件：IC = 10 mA, IB = 500 μA）。
• 器件内置预置电阻：基极 R1 ≈ 10 kΩ、发射极 R2 ≈ 47 kΩ，降低外部偏置复杂度。

三、结构与封装优势

SOT-323（PG-SOT323-3）超小型表贴封装，适合高密度 PCB 设计和自动化贴装。预偏置结构将基极与外部电阻需求最小化，方便直接由逻辑电平驱动，减少 BOM 并缩短调试周期。

四、典型应用场景

• MCU/逻辑电平的低功耗开关驱动与电平移位。
• 便携设备中的小信号放大与缓冲。
• LED 驱动前级、传感器接口、射频前端的增益级（低功率）。
• 需要低静态电流与低泄漏的待机电路。

五、使用注意事项

• 请勿超过 IC=100 mA 与 VCE=50 V 的极限值，并遵循 Pd 的热降额曲线；在高环境温度或连续导通下需提供足够铜箔散热。
• 虽带有内置电阻，但具体偏置与增益依赖负载与工作点，设计时建议参考详细数据表并在目标条件下验证 hFE 与饱和特性。
• SOT-323 封装尺寸小，应注意焊接工艺与机械应力，推荐使用回流焊工艺并控制焊盘与走线的热阻。

六、小结

BCR135WH6327XTSA1 以其预偏置结构、低泄漏、高频率特性与小型封装，适合对电路占板面积和外部元件数有严格要求的低功耗应用。设计时结合器件的电流增益、饱和电压与功耗限制进行热评价与工作点优化，可在便携式与消费电子类产品中发挥良好性能。欲获得更详细的引脚定义、热阻与完整电气特性，请参阅英飞凌官方数据手册。