SFT040N150C3 产品概述 — 赛力康电气

一、产品简介

SFT040N150C3 是赛力康电气推出的一款大功率 N 沟道功率 MOSFET，额定漏源电压 Vdss 为 150V，适用于中高压开关电源、逆变器及电机驱动等场合。器件具有低导通电阻与大电流承载能力，支持宽温度范围工作（-55℃ ~ +150℃），在需要高效率与高可靠性的系统中可发挥良好性能。封装为 TOLL-8，便于散热与大电流布线。

关键参数一览：

• 极性：N 沟道
• Vdss：150V
• 连续漏极电流 Id：190A
• 导通电阻 RDS(on)：4mΩ @ Vgs=10V
• 最大耗散功率 Pd：260W
• 门阈电压 Vgs(th)：4V
• 总栅极电荷 Qg：112nC @ Vgs=10V
• 输入电容 Ciss：9.562nF；输出电容 Coss：815pF；反向传输电容 Crss：254pF
• 工作温度：-55℃ ~ +150℃

二、主要特性

• 低导通损耗：RDS(on)=4mΩ（10V栅压）在大电流工作时可显著降低导通损耗，提高效率。
• 高电流承载：190A 连续电流能力，适合高功率应用（需良好散热条件）。
• 宽温工作：-55℃至+150℃，适应工业级环境。
• 完整寄生电容信息：Ciss、Coss、Crss 参数提供准确的开关损耗与驱动设计依据。
• 较大栅极电荷（112nC）：表明在高频切换时需较强驱动能力。

三、典型应用

• 开关电源（SMPS）与有源 PFC 前端
• 逆变器与太阳能微型逆变系统
• 电机控制与伺服驱动
• 不间断电源（UPS）与工业电源模块
• 高频大功率开关场合及仿真负载

四、设计与使用建议

• 栅极驱动：由于 Qg=112nC（10V），建议使用能提供较大瞬时电流的门极驱动器，选择合适的驱动电流与门极电阻以控制 dV/dt、避免振铃及过冲。
• 开关损耗与钳位：Crss=254pF 会增强米勒效应，切换过程中易产生米勒干扰。建议在高压切换场合配合 RC 或 RCD 钳位，以及适当的缓冲电阻来平衡开通与关断速度。
• 导通损耗与散热：RDS(on)=4mΩ 时大电流下导通损耗显著（例如 100A 时 P≈40W），需要合理的散热方案（散热器、压接、风冷或液冷）。连接导线与 PCB 铜箔应尽量增大截面积并缩短回流路径。
• 布局与磁干扰：低电感布局、紧凑的电流环路和充分的去耦电容能显著降低振铃与 EMI。输出侧电容（Coss=815pF）与寄生电感共同决定换能器的过渡响应，应在版图阶段予以校正。
• 并联使用：在极端大电流应用可考虑并联多个 MOSFET，但需注意匹配 RDS(on)、热电阻与分流均衡，必要时使用电阻或源引线设计来改善共享。

五、封装与散热注意

TOLL-8 封装利于热流向散热片传导，但器件在高 Pd 条件下仍需外部散热措施。热阻参数（请参考器件详表）与环境条件共同决定实际耗散能力。推荐在设计阶段进行热仿真并预留足够的铜箔面积与散热器接口。

六、选型建议

若应用需要在 150V 等级下兼顾高效率与大电流，且系统可以提供强驱动与良好散热，SFT040N150C3 是合适选择。对于高开关频率场合，需综合考虑较大的 Qg 与 Crss 带来的驱动与开关损耗，评估是否需要更低 Qg 的替代品或优化驱动和钳位策略。

如需器件的完整电气特性曲线、热阻数据或参考电路布局图，请联系赛力康电气获取详细资料与评估支持。