SI2309-HXY 产品概述

一、产品简介

SI2309-HXY 是华轩阳电子（HXY）推出的一款小封装 P 沟道 MOSFET，采用 SOT-23 封装，面向便携与板载电源管理的小功率高侧开关与保护电路。器件额定漏源电压 60V，适用于中低功率、需要 P 沟道高侧控制的场合，具有开关速度适中、体积小和成本低的优点。

二、主要参数

• 极性：P 沟道（P‑channel MOSFET）
• 漏源电压 Vdss：60 V
• 连续漏极电流 Id：2 A
• 导通电阻 RDS(on)：200 mΩ @ Vgs = −4.5 V（测试电流 1.5 A）
• 功耗 Pd：1.5 W（封装与PCB散热相关，应按数据手册热特性计算）
• 阈值电压 Vgs(th)：约 −2.6 V（典型）
• 总栅极电荷 Qg：11.3 nC @ VGS = 30 V
• 输入电容 Ciss：444.2 pF @ 30 V
• 反向传输电容 Crss：17.9 pF
• 工作温度范围：−55 ℃ ～ +150 ℃
• 封装：SOT-23
• 品牌：HXY MOSFET（华轩阳电子）

三、产品特性与优势

• 60V 耐压适合汽车电池侧、工业总线或电池保护电路的高侧开关应用。
• SOT-23 小体积、适合高密度 PCB 布局与便携设备。
• 相对较低的 RDS(on)（200 mΩ@−4.5V）在 1–2A 级别下损耗可控，适合低功耗开关。
• 中等栅极电荷（11.3 nC）和输入电容，切换速度与驱动功率处于平衡状态，适合低到中频率开关场合。
• 宽工作温度与常见工业级要求兼容。

四、典型应用

• 移动设备或电池供电系统的高侧开关与反向保护。
• 低功耗电源管理（分区上电/下电）。
• LED 驱动的小功率开关（需注意电流与热设计）。
• 通用开关和功率路径控制、电源切换模块。

五、设计与使用建议

• 驱动：P 沟道 MOSFET 的 Vgs 为负，若以 MCU 驱动（如 3.3V/5V），需保证相对于源极的有效负栅压；建议在接近 −4.5V 驱动以获得资料所示的 RDS(on)，若仅为 −2.5V/−3.3V，导通电阻将上升，需验证实际损耗。
• 热管理：器件 Pd=1.5W 为典型封装极限，实际允许功耗依赖 PCB 铜层与散热设计。建议短走线、加大焊盘铜箔或加热沉以降低结壳温升。
• 布局：栅极走线尽量短且接地良好，栅-源旁路电容和防止寄生振荡的栅阻可视情况增加。源和漏的大电流回路应采用宽铜箔以减少电阻与热点。
• 开关损耗：Qg 与 Crss 指示在开关过程中存在中等的能量损耗，适合低频或中频开关；若高频应用需评估驱动损耗和开关能量。
• 资料核对：上市前请参考完整数据手册以确认引脚定义、典型特性曲线及绝对最大额定值。

六、包装与可靠性

SOT-23 小封装便于自动贴片加工，适合量产 SMT 工艺。器件工作温度覆盖 −55℃ 至 +150℃，满足多数工业与消费电子环境需求。购买与开发时建议向供应商索取完整器件热阻与频率下的典型曲线，以便做精确的热和电气评估。

如需示例电路、封装管脚图或与系统兼容的替代型号推荐，可提供更多系统信息后进一步给出具体建议。