HTLP521GB-S 产品概述

一、产品简介

HTLP521GB-S 是华轩阳电子（HXY MOSFET）推出的一款DC 输入、光电三极管输出的晶体管型光耦合器，采用 SMD-4P 封装。该器件以高隔离电压、宽电流传输比（CTR）及较大的输出电流能力为特点，适合对信号隔离、低频开关和电平移位有要求的电子系统。

二、主要特性

• 输入侧：LED 最大正向电流 If = 50 mA，典型正向压降 Vf ≈ 1.15 V（受 If 与温度影响）。直流反向耐压 Vr = 6 V，禁止长时间反向加压。
• 输出侧：光电三极管最大集电电流 Ic 可达 50 mA，允许的负载电压最高 80 V。集-射极饱和电压 VCE(sat) ≈ 250 mV（指定条件下 2 mA、5 mA）。
• 隔离与可靠性：工作绝缘电压 Vrms = 5 kV（耐压测试级别）。总功耗 Pd = 200 mW，工作温度范围 0 ℃ ~ +70 ℃。
• 动态特性：上升时间 tr ≈ 2 μs，下降时间 tf ≈ 3 μs，适合低至中等速率信号隔离。
• 电流传输比：CTR 范围 100% ~ 600%，实际 CTR 随 If、温度和测量条件变化较大，应在电路设计中预留裕量。

三、典型应用场景

• MCU 与高压/噪声侧之间的电气隔离与信号传输。
• 开关电源的次级反馈、检测与保护信号隔离。
• 工业控制与家电的状态检测、限位与传感器隔离。
• 小功率继电驱动、指示及逻辑电平转换（注意功耗与电压限制）。

四、设计注意事项

1. 功率与电压限制：器件总耗散 Pd = 200 mW，若输出电流接近 50 mA，则允许的 VCE 极低（Pd/IC ≈ 4 V），因此在高压负载（接近 80 V）下必须用限流或外部开关器件，否则将超出功耗限制。
2. CTR 可变：CTR 在 100%~600% 之间波动，电路设计时建议按最低 CTR（或更低安全裕量）计算所需 LED 驱动电流，保证在最不利条件下仍满足输出电流要求。
3. 输入保护：LED 反向耐压仅 6 V，应避免反向电压；推荐在输入端并联反向保护二极管或限流电阻。
4. 热管理与封装：SMD-4P 封装有利于 PCB 布局，但注意焊盘与散热路径，避免长期高 If 或高 Ic 下累积热量导致性能退化。
5. 工作环境：器件标称工作温度 0~+70 ℃，若需工业级宽温应用，需选用相应等级的器件或加温度保护。

五、典型电路提示

• 低电平侧驱动：若使用 5 V MCU 驱动，按最小 CTR=100% 估算，为获得 Ic=2 mA，理论上 If≈2 mA；考虑到安全裕量，建议 If 取 3~5 mA，串联限流电阻 R = (Vdrv - Vf)/If。
• 高压测量/告警：输出端建议使用上拉电阻或外部晶体管/MOSFET 做电平转换，确保负载电压与器件 Pd 的匹配。

HTLP521GB-S 以高隔离、宽 CTR 与小体积封装为优势，适合各类需要可靠隔离与中等功率输出的电子设计。设计时请结合实际工作点校核热耗与电气应力，确保长期稳定运行。