S3M 整流二极管（SMB 封装）产品概述

一、产品简介

S3M 是一款高电压、3A 额定整流二极管，华轩阳电子（HXY MOSFET）出品，采用 SMB（DO-214AA）封装。该器件以 1kV 的反向耐压和 3A 的整流电流定位，适合中高压整流与保护应用。典型正向压降为 1.1V（IF=3A），在高压场合兼顾稳健的反向漏电特性与抗浪涌能力。

二、主要电气参数与特性

• 正向压降 Vf：1.1V @ IF = 3A（典型测试点，实际值请参照厂方数据表）
• 最大直流反向耐压 Vr：1000V，适用于高压整流与阻断场合
• 额定整流电流：3A（平均值，持续工作需考虑散热与环境温度）
• 反向漏电流 Ir：5μA（通常在室温、额定 Vr 下测得）
• 非重复峰值浪涌电流 Ifsm：100A（单次突发浪涌能力，注意热应力限制）
• 工作结温范围：-65℃ ~ +150℃，适应宽温度工作环境

三、封装与热管理

SMB（DO-214AA）封装体积小、焊接方便，适合自动贴片与回流工艺。尽管器件额定电流为 3A，但受限于封装散热能力，实际持续电流需根据 PCB 散热设计、铜箔面积以及环境温度进行降额。建议在高平均电流或连续工作场景下增大散热铜箔、或采用散热垫/散热器以降低结温，延长寿命。

四、典型应用场景

• 高压整流电路（整流桥、单管整流）
• 交换电源次级整流与输入整流
• 电源因数校正（PFC）中的高压整流单元（视反向恢复特性而定）
• 工业电源、高压电池充电器、逆变器及保护电路
• 各类需要高 Vr 与中等电流能力的场合

五、选型与使用注意事项

• 测试条件：请以厂方完整数据表为准，关注 Vf、Ir 测试时的温度与电流条件。
• 冲击与浪涌：Ifsm 为非重复峰值浪涌能力，频繁或重复浪涌需选择具更高能量吸收或并联保护方案。
• 反向恢复：若用于高速开关电源，需关注反向恢复时间与峰值反向电流，必要时选择快恢复或肖特基方案以降低开关损耗与 EMI。
• 温度管理：在高环境温或高平均电流下应按热阻导则降额使用，避免结温超过 150℃。
• 安装与焊接：遵循 JEDEC/IPC 推荐的回流焊温度曲线，避免过长高温暴露导致封装或内部应力损伤。

六、储存与可靠性

建议按湿度敏感等级（MSL）及厂方说明储存，长期储存前避免受潮与强光照射。器件在额定工作条件下经过常规热循环、浪涌和老化试验，其可靠性适合工业级应用；具体可靠性数据与试验报告建议向供应商索取。

七、采购与技术支持

华轩阳电子（HXY MOSFET）品牌供应的 S3M 屬于通用高压整流器件，具有成本效益与广泛适用性。采购时请确认完整型号与批次，获取最新器件数据手册以核实所有参数，并在设计阶段与厂商技术支持沟通关键应用（如高频整流、重复浪涌或极端环境），以保证选型与设计的可靠性。