型号:

PESD5V0S2BT

品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装:SOT-23
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
PESD5V0S2BT 产品实物图片
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描述:未分类
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商品单价
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0.536
200+
0.179
1500+
0.112
3000+
0.0886
产品参数
属性参数值
极性双向
反向截止电压(Vrwm)5V
钳位电压9V
峰值脉冲电流(Ipp)11A
峰值脉冲功率(Ppp)100W
击穿电压6V
反向电流(Ir)1uA
通道数双路
工作温度-55℃~+125℃
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容20pF

PESD5V0S2BT 产品概述

一、产品简介

PESD5V0S2BT 是一款双路、双向的瞬态电压抑制器(ESD 二极管),专为保护 5V 等电压等级的高速信号线和接口免受静电放电(ESD)及瞬态脉冲干扰设计。器件封装为 SOT-23,工作温度范围宽(-55℃~+125℃),适用于便携设备、消费电子、通信和工业控制等领域。

二、主要性能特点

  • 极性:双向,支持正负极向瞬态抑制;
  • 反向截止电压 Vrwm:5V(适配 5V 工作电压系统);
  • 钳位电压 Vclamp:9V,有效限制瞬态电压峰值;
  • 峰值脉冲电流 Ipp:11A(瞬态脉冲能力强);
  • 峰值脉冲功率 Ppp:100W(器件短时吸收能量能力);
  • 击穿电压:6V;反向漏电流 Ir:1µA(低漏电,有利于功耗控制);
  • 结电容 Cj:20pF,适合高速数据线应用;
  • 通道数:双路,适用于双线或差分信号保护;
  • 防护等级:满足 IEC 61000-4-2(静电放电)与 IEC 61000-4-4(快速瞬变脉冲)规范要求。

三、电气参数要点

器件在 5V 工作点附近保持低泄漏(Ir≈1µA),在发生 ESD 或突发脉冲时能将峰值电流 11A 限制在约 9V 的钳位电压内,短时承受最高 100W 脉冲功率。结电容 20pF 对高速接口影响小,适合 USB、UART、SDA/SCL、LVDS/差分信号等场景。

四、典型应用场景

  • 手机、平板和便携设备的外部接口保护(USB、耳机、充电接口);
  • 通信设备的 RJ45、以太网 PHY 前端;
  • 工业控制与仪表中对 I/O 口的浪涌与静电防护;
  • 消费类电子的按键、触摸屏、外设连接线保护。

五、封装与引脚说明

SOT-23 小封装,便于表面贴装和空间受限设计。双路结构通常为两个保护单元共用参考端(地或对称中点),具体引脚定义请参照器件详细数据手册以便正确布局与焊接。

六、设计与布局建议

  • 将器件尽量靠近被保护端口放置,缩短关键信号到器件的走线;
  • 保护器件的参考端(地)应有低阻抗回流路径,优先使用连续地平面;
  • 对于高速差分线,注意匹配阻抗并尽量避免在保护器前后插入大电容;
  • 可与串联电阻或共模滤波配合提高抗干扰能力与抑制反射。

七、可靠性与合规性

器件工作温度 -55℃~+125℃,适应工业级环境。通过 IEC 61000-4-2 与 IEC 61000-4-4 等抗扰度要求,可在受干扰环境下为系统提供第一道保护。实际系统设计中,建议参考完整的标准测试条件与器件数据手册进行验证。

结语:PESD5V0S2BT 以其双向保护、低漏电、高脉冲承受力和低结电容的综合特性,为 5V 级高速信号线提供高效可靠的瞬态保护。选型和布局时请结合目标系统的工作电压、信号速率和抗扰需求进行评估。