BV03C 产品概述

一 产品简介

BV03C 是华轩阳电子（HXY MOSFET）推出的一款单路双向瞬态抑制器（ESD/浪涌保护器件），封装为 SOD-323。器件针对 3.3V 工作电压系统优化，兼顾高速信号保护与瞬态能量吸收能力，适用于接口保护与电路板局部防护方案。

二 主要参数与特性

• 极性：双向
• 反向截止电压（Vrwm）：3.3V（适配 3.3V 系统）
• 击穿电压（Vbr）：5.4V（典型）
• 钳位电压：20V（峰值脉冲时）
• 峰值脉冲电流（Ipp）：20A
• 峰值脉冲功率（Ppp）：400W（8/20µs 波形）
• 反向漏电流（Ir）：1µA（常温、Vrwm 条件下）
• 结电容（Cj）：1pF（低电容，适合高速信号）
• 通道数：单路（单通道保护）
• 工作温度：-40℃ ~ +125℃
• 防护等级：符合 IEC 61000-4-5（浪涌）与 IEC 61000-4-2（ESD）

三 电气性能解析

BV03C 在静态条件下于 3.3V 以内保持极低漏电（Ir≈1µA），不会对敏感电路造成明显静态负担。遭受瞬态冲击时，器件在击穿区将快速导通，将高能量脉冲限制在约 20V 钳位电压，单次 8/20µs 波形下可承受 400W 峰值功率与 20A 峰值电流，能有效吸收来自接插件、外部线缆的高幅值短时干扰。

1pF 的低结电容使 BV03C 适用于对信号完整性要求较高的串行/差分信号线（如 3.3V TTL、LVDS 等），对高速链路的影响最小。

四 封装与可靠性

SOD-323 小外形便于高密度 PCB 布局，适合移动设备、消费电子与工业接口保护。器件工作温度覆盖 -40℃ 至 +125℃，并通过 IEC 相关标准验证，可靠性满足一般工业级应用需求。

五 典型应用场景

• 3.3V 电源与信号线的 ESD/浪涌保护
• 接口防护：UART、I2C、SPI、GPIO 等外部引脚保护
• 通信与数据链路的端口保护（需低电容特性）
• 工业控制与终端设备的局部浪涌抑制

六 选型与使用建议

• 若保护对象为单端且工作电压为 3.3V，BV03C 为合适选择；若为较高工作电压系统，应选用 Vrwm 匹配的器件。
• 在高重复脉冲或大能量环境中，考虑并联更大功率的保护器件或采用多级防护以分担能量。
• 低结电容有利于高速信号，但在差分接口上需注意阻抗配合与布局一致性。

七 PCB 布局与安装要点

• 将 BV03C 尽量靠近受保护的连接器或引脚放置，减小引线环路面积，缩短到地的回流路径。
• 对地端应采用低阻抗、大面积的接地平面，并使用短粗的过孔连接，以提高瞬态能量散逸能力。
• 若与其它保护元件并用，遵循从前端到后端逐级能量分散的原则，避免单点过载。

八 总结

BV03C 是一款面向 3.3V 系统的双向低电容瞬态抑制器，兼顾高速信号兼容性与较高的脉冲能量吸收能力。小型 SOD-323 封装适合密集布局与多场景防护需求，是接口与局部电路防护的实用器件。选型时应结合实际脉冲环境与重复能力需求进行系统评估。