CMD060N12 产品概述

一、简介

CMD060N12 是由 CMOS（广东场效应半导体）推出的一款高电流、低导通电阻的 N 沟道功率 MOSFET，封装为 TO-252（DPAK）。器件针对高效率电源、同步整流和电机驱动等场景进行了优化，具备 120V 的耐压能力和 100A 的连续漏极电流能力，可在中高功率开关应用中显著降低导通损耗。

二、关键参数

• 类型：N 沟道 MOSFET
• 漏源电压 Vdss：120 V
• 连续漏极电流 Id：100 A
• 导通电阻 RDS(on)：5.6 mΩ @ Vgs = 10 V
• 耗散功率 Pd：130 W
• 阈值电压 Vgs(th)：3 V
• 栅极电荷 Qg：65 nC @ Vgs = 10 V
• 输入电容 Ciss：3.85 nF
• 输出电容 Coss：1.85 nF
• 反向传输电容 Crss（Cgd）：200 pF
• 工作温度范围：-55 ℃ ~ +150 ℃
• 品牌：CMOS（广东场效应半导体）
• 封装：TO-252（DPAK）

三、电气与开关特性解读

• 低 RDS(on)（5.6 mΩ@10V）意味着在导通状态下导通损耗较小，适合高电流通路，可降低功耗与发热，提升效率。该数据是在 Vgs = 10V 下测定，实际应用应保证驱动电压接近或达到此值以获得标称导通性能。
• Vdss = 120V 为中高电压等级，适用于反激式电源、PFC、汽车电子（部分非直接电池侧）和工业电源中的开关或同步整流场合。
• Qg = 65 nC 和 Ciss / Coss / Crss 表明器件具有中等偏高的栅极电荷与电容，开关时需要较强的栅极驱动能力以保证快速切换。较大的 Crss（200 pF）也会在开关瞬态产生明显的米勒效应，需在驱动与布局上加以考虑。

四、热管理与封装注意

• Pd 标称为 130 W，但实际可用散热能力由封装（TO-252）、铜箔面积、PCB 散热和环境温度决定。TO-252 在无外加散热措施下的热阻相对较大，100A 等大电流场景下必须做好 PCB 散热设计（加大散热铜箔、过孔通热、必要时配合散热片或底板）。
• 工作结温上限为 +150 ℃，建议在长期运行时保持结温远低于最大值以延长寿命并保证可靠性。

五、布局与驱动建议

• 栅极驱动：由于 Qg = 65 nC，建议使用能提供较大瞬态电流的驱动器，并根据系统对开关速度与 EMI 的平衡选择合适的门阻（Rgate）。快速驱动可以降低开关过渡损耗，但可能增加振铃与电磁干扰；适当串联门阻和 RC 吸收网络可以抑制振荡并限制 dV/dt。
• PCB 布局：保持漏极和源极的大面积铜箔，缩短电流回路长度；栅极布线要尽量短且远离快速电流回路，减少寄生电感和耦合。对高电流回路使用多层铜过孔加速热传导。
• 保护措施：在 120V 电压等级下建议在开关点添加 TVS、RC 吸收器或能量回收网络，以防止过压脉冲和保护器件的安全工作区（SOA）。

六、典型应用

• 开关电源（SMPS）主开关或同步整流器
• 直流–直流变换器（降压/升压）
• 电机驱动（中小功率逆变器与驱动模块）
• 汽车与工业电源系统中的功率开关元件
• 高频功率转换与逆变器模块

七、选型与使用要点

• 若系统要求最小导通损耗且能提供 10V 门压，则 CMD060N12 可发挥最佳性能。若只能提供低电压门驱（如 5V），需注意 RDS(on) 会上升，实际导通损耗会增加，应评估。
• 在高频或极快切换要求下，需兼顾驱动能力与 EMI 控制，考虑使用合适的门阻、吸收器或软开关拓扑以降低开关损耗与尖峰。
• 对于连续高电流应用，务必验证 PCB 的散热能力与结温，必要时采用外部散热措施或并联多管分担电流。

总结：CMD060N12 在 120V/100A 电平具有较低的导通电阻和适中的开关特性，适用于需要高效率和大电流的功率开关场合。合理的栅极驱动、良好的 PCB 散热设计及必要的瞬态保护，是发挥其性能并保证可靠性的关键。