UMH3N 产品概述

UMH3N 是华轩阳电子（HXY MOSFET）推出的一款数字晶体管器件，封装为 SOT-363（超小体积），内部为 NPN+NPN 结构，面向微控制器接口与低功率开关驱动场景。器件集成了典型的数字晶体管特性，便于直接与逻辑电平连接，节省外部元件并简化电路设计。

一、主要特性

• 集射极击穿电压 Vceo：50 V，适用于中低压侧控制场合。
• 集电极最大电流 Ic：100 mA，适合驱动小信号负载（如指示灯、光耦、低功耗继电器驱动等）。
• 最大耗散功率 Pd：150 mW，SOT-363 小封装要求注意热限。
• 直流电流增益 hFE：600（测试条件 1 mA, 5 V），在低电流区具有高增益特性。
• 射基极击穿电压 Vebo：5 V；输入端等效阻抗 4.7 kΩ（常见于带内部基极限流/上拉电阻的数字晶体管实现方式）。
• 结构：NPN+NPN（双晶体管结构，便于开集电极或推挽等应用拓扑）。
• 封装：SOT-363，适合高密度贴片应用与移动终端类产品。

二、电气性能要点

UMH3N 在低电流工作点表现出很高的直流放大倍数（hFE），在接口电路中可用较小的输入信号驱动较大的输出变化。输入端等效电阻 4.7 kΩ 有利于直接与 MCU/逻辑电平连接，避免外部基极电阻。设计时需注意器件的功耗与结温限制，避免长期在最大耗散功率附近工作。

三、典型应用场景

• 单片机/数字逻辑与小功率负载之间的接口驱动（LED、蜂鸣器、光耦隔离器等）。
• 信号放大与电平转换。
• 便携设备和消费电子中用于节省 PCB 面积的开关/缓冲元件。
• 双晶体管结构可用于简单的推挽或双通道驱动方案（视应用电路而定）。

四、封装与热管理

SOT-363 为超小型封装，适合高密度安装，但热阻较大。150 mW 的耗散功率在无散热条件下需谨慎使用：

• 在 PCB 设计上建议增大铜箔面积以帮助散热；
• 在连续导通场合，宜限制集电极电流或采用间歇导通策略以降低结温；
• 若工作环境温度较高，应留有安全裕度，避免长期接近 Pd 极限。

五、使用与焊接注意事项

• 推荐遵循通用无铅回流焊规范，避免超出封装应力与温度极限（详情参照制造商回流曲线）。
• ESD 防护：尽管器件适用于接口电路，仍建议在装配与测试过程中采取静电防护措施。
• 在实际电路中若负载接近 100 mA 或导通功耗较大，应评估平均功耗与脉冲特性，必要时添加并联或采用更大封装器件。

六、典型接法（示意）

• 逻辑直接驱动：MCU 输出 → UMH3N 输入（内部 4.7 kΩ）→ 集电极负载（上拉至 Vcc 或接地方向视连接方式而定）。
• 双管结构可根据目标功能选择单通道或复用两路独立驱动，提升电路灵活性。

七、采购与标识

• 品牌：HXY MOSFET（华轩阳电子）。型号：UMH3N。
• 封装：SOT-363。
• 选型时请核对器件批号与封装标识，并参考制造商技术资料（Data Sheet）以获取完整的曲线、极限值与包装信息。

总结：UMH3N 以其高增益、内置等效输入阻抗与超小封装，适合空间受限且需直接与数字逻辑相连的低功耗驱动与接口场景。设计时重点关注热管理与最大耗散功率限制，以确保长期可靠运行。