型号:

BZT52C6V8

品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装:SOD-123
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
BZT52C6V8 产品实物图片
BZT52C6V8 一小时发货
描述:稳压二极管 独立式 6.8V 6.46V~7.14V 1.6uA@4V SOD-123
库存数量
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.173
200+
0.0577
1500+
0.036
3000+
0.0286
产品参数
属性参数值
二极管配置独立式
稳压值(标称值)6.8V
反向电流(Ir)1.6uA@4V
稳压值(范围)6.46V~7.14V
耗散功率(Pd)500mW
阻抗(Zzt)14.2Ω

BZT52C6V8 产品概述

一、产品简介

BZT52C6V8 是一款独立式稳压二极管(Zener diode),标称稳压值 6.8V,实际稳压范围 6.46V~7.14V,适用于低功耗稳压、基准电压和浪涌钳位等场合。该型号采用 SOD-123 小封装,由 HXY MOSFET(华轩阳电子)生产,体积小、成本低、可靠性高,便于表面贴装(SMT)生产线使用。

二、主要电气参数

  • 标称稳压 Vz(标称值):6.8V
  • 稳压范围:6.46V ~ 7.14V(表示器件批次内电压分布)
  • 反向电流 Ir:1.6 μA @ 4V(反向偏压下的漏电特性)
  • 阻抗 Zzt:14.2 Ω(在规定测试条件下的动态阻抗,反映稳压下电压随电流的变化)
  • 耗散功率 Pd:500 mW(器件在规定散热条件下的最大耗散功率)
  • 封装:SOD-123,极性有阴极带识别

三、特点与优势

  • 小型 SOD-123 封装,适合高密度 SMT 布局。
  • 6.8V 标称电压,±5% 级别的线性稳压性能,适合一般基准和偏置电路。
  • 低反向漏电(μA 级),适用于高阻抗信号和低功耗电路。
  • 中等动态阻抗,能在一定范围内保持良好稳压效果。
  • 500 mW 的耗散能力在合理散热下可满足多数低功率稳压需求。

四、典型应用

  • 低功耗线性稳压:为小型传感器、MCU 外围电路提供参考电压或偏置电压。
  • 过压保护/钳位:作为瞬态电压钳位元件保护敏感电路。
  • 基准源与偏置电路:用于放大器、比较器的参考和偏流网络。
  • 消费电子、仪器仪表、通信设备等需要小体积稳压元件的场合。

五、使用建议与注意事项

  • 最大稳态电流估算:Iz_max ≈ Pd / Vz ≈ 500 mW / 6.8 V ≈ 73.5 mA。该值为理论上限,实际设计应留有裕量并考虑 PCB 散热条件。建议常用工作电流在数 mA 至几十 mA 范围内(典型设计多采用 1–20 mA),以降低结温并延长寿命。
  • 热管理:SOD-123 封装热阻较大,推荐在 PCB 上使用较大铜箔面积和热铜垫来提升散热能力;避免长期在高温/高功耗工况下工作。
  • 布局与焊接:注意极性标识(阴极带);焊盘设计应兼顾可焊性与散热;回流焊温度曲线按制造商推荐控制,避免过热引起性能退化。
  • 漏电与温漂:反向漏电随温度上升而增加,关键应用需评估温度系数并在设计中留出补偿或校准措施。
  • 浪涌与脉冲:连续或高幅值脉冲电流会显著增加结温,应避免超过允许的能量吸收能力。

六、封装与采购信息

  • 型号:BZT52C6V8
  • 封装:SOD-123(表贴)
  • 品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子)
  • 应在订购时确认批次、稳压范围与封装要求,并参考厂家完整数据手册以获得详细的测试条件、温度特性与可靠性数据。

总结:BZT52C6V8 在小型化、低功耗稳压和钳位应用中表现良好。合理控制工作电流与改善 PCB 散热是保证其长期稳定运行的关键。请以厂家数据手册为最终依据进行电路设计与可靠性评估。