ZM4742A 稳压二极管(12V / 1W)产品概述
一、产品简介
ZM4742A 是华轩阳电子(HXY MOSFET)推出的一款独立式稳压二极管,标称稳压值为 12V,封装为 LL-41 轴向封装,适用于一般功率较低的电源稳压和基准场合。器件额定耗散功率为 1W,反向漏电流 Ir 为 5µA(在 9.1V 时),稳压值允许范围为 10.8V ~ 13.2V。
二、主要电气参数
- 标称稳压值:12V(ZM4742A)
- 稳压值范围:10.8V ~ 13.2V
- 反向电流 Ir:5µA @ 9.1V(低漏电,适合低功耗电路)
- 最大耗散功率 Pd:1W(封装及散热条件影响实际可用功率)
- 小信号阻抗 Zzt:9Ω(在标准测试条件下,反映动态稳压性能)
- 脉降阻抗 Zzk:700Ω(表征跌落区和低电流下的“膝”特性)
三、工作原理与应用场景
ZM4742A 在反向偏置工作时利用齐纳击穿或雪崩机制实现电压钳位与参考。因其 12V 等级与 1W 功率,常用于:
- 小功率线性稳压与分流基准
- 过压保护与脉冲抑制(配合串联电阻或限流器)
- 仪表、传感器供电参考、试验台基准源等场合
四、选型与电路设计要点
- 最大稳压电流近似由 Pd / Vz 给出:Iz_max ≈ 1W / 12V ≈ 83mA;建议长期工作电流在该值的 50% 以下,以保证可靠性(约 ≤40mA),并留有余量应对环境温升。
- 串联限流电阻计算:Rs = (Vin - Vz) / Iz_total(Iz_total = 稳压二极管电流 + 负载电流),设计时应兼顾最小偏流和最大偏流状态。
- 动态阻抗 Zzt = 9Ω 表明在变化电流时会有一定压降,若要求高精度参考,应采用合适偏流或后端稳压放大电路以降低误差。
- 低电流特性(Zzk 较大)提示在非常小偏流下稳压“膝”较软,应避免将器件长期工作在极低偏流状态。
五、封装与热管理
LL-41 为轴向(玻璃)小封装,适用于穿孔安装。1W 等级的功耗依赖于环境温度与散热路径,轴向封装主要通过引线和周围空气散热。设计时应:
- 保证引线和焊盘有良好热传导路径;
- 在高环境温度或高占空比工作下采取降额(derating);
- 遵循厂商焊接温度及回流规范以免损伤封装。
六、使用与可靠性建议
- 长期使用建议控制结温与耗散不超过额定的一半至三分之二;
- 对于对噪声、精度要求高的场合,配合滤波与隔离电路以降低温漂与噪声影响;
- 出货检验可包含稳压电压、漏电流、耐压与热循环测试等项目,确保长期稳定性。
七、总结
ZM4742A 为一款通用的 12V、1W 级独立式稳压二极管,适合小功率稳压、过压防护与基准提供。设计时应注意热管理、偏流工作点及动态阻抗对稳压精度的影响。详细参数与应用建议请参考华轩阳电子的完整数据手册,以获得更精确的测试条件与曲线。