2N7002T 产品概述

一、产品简介

2N7002T（HXY MOSFET，华轩阳电子）为一款小信号N沟增强型场效应管，采用超小型SOT-523封装，适用于空间受限且要求低功耗、小电流开关的便携和消费类电子设备。器件额定漏源电压60V，适合中低功率开关与电平转换场合。

二、主要规格

• 类型：N沟增强型 MOSFET
• 漏源电压 Vdss：60V
• 连续漏极电流 Id：115mA（封装热限制）
• 导通电阻 RDS(on)：3Ω @ Vgs=10V（测试电流0.115A）
• 功率耗散 Pd：150mW
• 阈值电压 Vgs(th)：2.5V
• 输入电容 Ciss：50pF @ 25V
• 反向传输电容 Crss：5pF @ 25V
• 工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
• 封装：SOT-523（极小型封装）

三、性能特点

• 高耐压：60V额定，可承受较高的漏源电压，适合开关中间电压轨。
• 低门极电容（Ciss≈50pF）与低米勒电容（Crss≈5pF），利于快速开关并降低驱动能耗。
• 小封装热阻较高，连续工作电流受限（115mA）——适合信号级和小功率负载驱动。
• 阈值电压约2.5V，建议采用接近或高于10V的栅极驱动以减小导通电阻（根据系统允许的Vgs范围调整）。

四、典型应用

• 低电流开关和信号开关（继电器驱动信号隔离、逻辑电平开关等）
• 逻辑电平电平转换与接口隔离（与上拉电阻配合）
• 保护与断路检测电路（ESD/瞬态旁路注意）
• 便携设备、穿戴电子、物联网模块中占位小、功耗敏感的开关任务

五、设计与使用要点

• 热管理：因Pd仅150mW，须保证在最大工作电流下功耗（I^2·RDS(on)）低于Pd并留有裕量；必要时降低占空比或分流热量。
• 驱动：若要求更低RDS(on)，应提高Vgs（但务必参考厂商最大Vgs）；50pF门电容支持中高速切换，建议串联适当门阻以抑制振铃与限流。
• PCB布线：尽量缩短漏、源导线，增加散热铜箔；SOT-523焊盘与回流工艺需按照厂家建议设计。
• 引脚与封装：SOT-523封装极小，引脚力学弱，安装与维修需注意防静电和机械应力；具体引脚排列请以厂商数据手册为准。

六、可靠性与选型建议

2N7002T适合对体积与成本敏感且负载电流较小的方案。若电流或导通损耗要求更高，应选用更低RDS(on)或更大功率封装的器件。采购时建议索取华轩阳电子的完整数据手册以确认极限参数、引脚图与回流温度曲线，便于可靠设计与量产。