TPM44273-S5TR 产品概述

一、产品简介

TPM44273-S5TR 是 3PEAK 推出的一款单通道低边门极驱动器（low-side gate driver），针对 MOSFET 与 IGBT 的快速开关控制进行了优化。器件工作电压范围宽（4.5V ~ 23V），并且集成了欠压保护（UVP），静态工作电流极低，适合对能耗与开关性能有双重要求的电源与电机驱动应用。封装为 SOT-23-5，便于小尺寸 PCB 布局与大规模量产。

二、主要特性

• 驱动类型：低边单通道门极驱动（适配 MOSFET / IGBT）
• 工作电压：4.5V ～ 23V，兼容常见 5V / 12V / 24V 系统
• 上升时间 tr：7 ns，下降时间 tf：6 ns，适合高频开关场景
• 传播延迟 tpLH / tpHL：13 ns / 13 ns，延迟对称利于时序可预测性
• 欠压保护（UVP）：在供电不足时自动抑制输出，保护功率器件
• 输入阈值：输入高电平 VIH = 1.95V，输入低电平 VIL = 1.25V（对 3.3V 与 5V 逻辑兼容良好）
• 静态电流 Iq：40 μA（典型），适合低待机功耗设计
• 工作温度：-40 ℃ ～ +125 ℃，满足工业与汽车级应用温度要求
• 封装：SOT-23-5，紧凑型表贴封装

三、典型应用场景

• 开关电源（DC-DC 变换器）中的低边开关驱动
• 无刷直流电机（BLDC）以及有刷电机的单相低边驱动
• 电池管理与能量回收系统的功率开关控制
• 汽车电子中 12V/24V 系统的功率开关控制（需满足汽车车规验证时注意规范）
• 通用功率模块、继电器或固态继电器的驱动级

四、设计与使用建议

• 电源去耦：建议在 VCC 与 GND 之间靠近器件焊盘放置 0.1 μF 陶瓷电容以抑制瞬态噪声，必要时并联 1 μF~10 μF 稳定整板供电。
• 栅极阻抗：为控制开关边缘和抑制谐振，常在驱动输出与 MOSFET/IGBT 栅极之间串联门极电阻（典型 1 Ω ~ 100 Ω，依据开关速度和 EMI 要求调整）。
• 上拉/下拉：在功率器件栅极侧增加合适的下拉电阻以确保关断态稳定（防止悬空触发）。
• 布局：VCC、GND 与输出走线尽量短且粗，减少寄生电感；驱动器与被驱动器之间走线长度对开关性能影响显著。
• 热与功耗：SOT-23-5 封装散热能力有限，若驱动频率高或外界工作温度偏高，应注意 PCB 铜箔散热并评估热升情况。
• 欠压保护：器件内置 UVP，在设计中应考虑 UVP 的触发对系统行为的影响（如避免在临界供电时反复触发导致系统不稳定）。

五、输入逻辑兼容性与性能解读

输入阈值 VIH = 1.95V 与 VIL = 1.25V 表明该驱动器对 3.3V 与 5V 逻辑兼容性良好，TTL/CMOS 控制器能直接驱动。7 ns 的上升 / 6 ns 的下降时间配合 13 ns 的传播延迟，适合需要快速切换但又希望延迟匹配的场景。40 μA 的静态电流使其在系统待机或低负载条件下非常节能。

六、封装与可靠性

SOT-23-5 小型封装利于空间受限设计，同时满足常见 SMT 生产工艺。工作温度范围 -40 ℃ ～ +125 ℃ 支持工业级乃至某些汽车级应用（若用于汽车关键系统，建议按车规等级进行完整验证）。在高温、高振动或强电磁干扰环境下，需加强 PCB 机械固定与 EMI 抗扰设计。

七、结论

TPM44273-S5TR 是一款面向单路低边 MOSFET/IGBT 驱动的高性价比器件，集成欠压保护、低静态电流和快速开关性能，适配宽电压输入与宽温度工作环境。对于需要在有限空间内实现高效开关控制且注重功耗与可靠性的应用，TPM44273-S5TR 是值得优先考虑的门极驱动方案。若需进一步的电气特性曲线、UVP 阈值或典型应用电路，请参考 3PEAK 的详细数据手册或联系供应商获取完整资料。