BSC146N10LS5ATMA1 — Infineon OptiMOS™5 N沟道功率MOSFET 概述

一、产品简介

BSC146N10LS5ATMA1 是英飞凌 OptiMOS™5 系列的一款 100V N 通道功率 MOSFET，封装为 PG-TDSON-8-6（8-PowerTDFN），提供卷带（TR）供应。器件处于有源状态，针对高效率开关与低导通损耗的中功率应用进行了优化。

二、主要电气性能

• 漏源电压 VDSS：100V，适合中高压开关场合。
• 连续漏极电流 Id：44A（在结温 Tc 测试条件下）。
• 导通电阻 RDS(on)：14.6 mΩ（典型测量条件：Id=22A，VGS=10V）。驱动电压支持 4.5V 与 10V 两档，便于在不同驱动电平下折衷速度与损耗。
• 栅极阈值 VGS(th)：最大 2.3V（I=23µA），便于评估驱动门槛。VGS 最高允许 ±20V。
• 栅极电荷 Qg：最大 10nC（VGS=4.5V），输入电容 Ciss：最大 1300pF（VDS=50V），这些参数直接影响开关损耗与驱动器选择。
• 功率耗散 Pd：2.5W（Ta），52W（Tc），适当依赖于良好散热设计以达到额定性能。
• 工作结温 TJ：-55°C 至 +150°C。

三、封装与热管理

TDSON-8（PG-TDSON-8-6）为表面贴装型小型低高度封装，具有良好的热流路径，但散热性能依赖 PCB 设计。建议在 PCB 底部与焊盘区域配备大面积散热铜箔或多层过孔连接散热层，以利用器件在 Tc 条件下的高功率耗散能力。注意在实际应用中按环境温度和散热条件进行功率热降额计算。

四、典型应用

适用于需要在 100V 级别下兼顾导通损耗与开关性能的场景，例如：

• 同步整流降压转换器（DC-DC），服务器与通信电源；
• 开关电源主开关或一级开关；
• 电机驱动的辅助功率级；
• 电池管理与逆变器中的辅助电路；
• 高效功率转换与功率管理模块。

五、设计与布局建议

• 驱动器选择应考虑 Qg（10nC@4.5V）与 Ciss（1300pF），选择能够提供足够峰值电流的门极驱动以控制开关上升/下降时间并降低开关损耗。
• 在高速开关场合使用适当门阻（Rg）以抑制振铃和电磁干扰，但需平衡开关损耗。
• PCB 布局应尽量缩短电流回路长度，提供低阻抗功率层与宽敷铜，并对热垫与过孔进行优化。
• 对于高电流应用可考虑并联器件，注意匹配 RDS(on) 与热耦合以防热失配。
• 在测量 RDS(on) 时采用 Kelvin 源端连接以提高测量精度。

六、可靠性与注意事项

• 器件为静电敏感元件，装配与测试时应采取 ESD 防护措施。
• 遵循 VGS ±20V 限制，避免栅极过压导致损坏。
• 在高温或散热受限情况下，应根据 Pd（Ta/Tc）规格进行热降额，防止过温运行。

总结：BSC146N10LS5ATMA1 以 OptiMOS™5 技术提供较低的导通电阻与适中的开关性能，适合 100V 级别的高效率电源与开关应用。合理的驱动、布局与散热设计可充分发挥其性能优势。