型号:

RCLAMP0524P.TCT

品牌:JSMSEMI(杰盛微)
封装:DFN2510
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
RCLAMP0524P.TCT 产品实物图片
RCLAMP0524P.TCT 一小时发货
描述:保护器件 RCLAMP0524P.TCT
库存数量
库存:
1639
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.156
3000+
0.138
产品参数
属性参数值
反向截止电压(Vrwm)5V
钳位电压15V
峰值脉冲电流(Ipp)5A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)100W
击穿电压6V
反向电流(Ir)1uA
通道数四路
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容0.4pF;0.3pF

RCLAMP0524P.TCT — 四路低容抗ESD保护器件产品概述

一、产品简介

RCLAMP0524P.TCT 是 JSMSEMI(杰盛微)推出的一款四路低电容ESD浪涌保护器件,封装为紧凑型 DFN2510,专为高速数据线与多通道接口的静电放电与脉冲浪涌防护设计。器件遵循 IEC 61000-4-2(ESD)、IEC 61000-4-4(电快速脉冲)和 IEC 61000-4-5(雷击浪涌)等工业防护标准,能在保证信号完整性的前提下提供可靠保护。

二、主要特性与电气参数

  • 反向截止电压 Vrwm:5 V,适用于典型 5 V 系统保护
  • 击穿电压(Vz):6 V(典型)
  • 钳位电压(Vclamp):15 V(在峰值脉冲条件下)
  • 峰值脉冲电流 Ipp:5 A(8/20 μs 波形)
  • 峰值脉冲功率 Ppp:100 W
  • 反向漏电流 Ir:典型 1 μA(器件处于反向截止时)
  • 通道数:四路,支持多线路并联保护或多信号通道保护
  • 结电容 Cj:0.3 pF ~ 0.4 pF(极低电容,适合高速信号线)

这些参数表明器件在遭受短时高能量脉冲与静电冲击时能有效限制钳位电压并吸收能量,同时对高速信号的失真极小。

三、产品亮点与优势

  • 低结电容(0.3–0.4 pF):对高速差分信号影响小,适合 USB2.0、MIPI、CSI、GPS、SIM 卡接口等对带宽敏感的应用。
  • 多通道集成:四路保护可节省PCB空间并简化布线设计。
  • 高脉冲承受能力:5 A@8/20 μs 与 100 W 的峰值功率保证对常见浪涌/雷击事件有足够的缓冲能力。
  • 符合多项 IEC 防护等级:满足工业与消费类产品的抗扰度要求。
  • 小封装 DFN2510:便于在空间受限的移动设备与便携终端中使用。

四、典型应用场景

  • 手机、平板、可穿戴设备的外部接口与摄像头模块保护
  • USB 2.0/串口/音频/控制信号线的抗静电与浪涌保护
  • 工业控制、楼宇自控设备中 I/O 端口防护
  • 网络设备、机顶盒等消费电子的面板接口保护
  • SIM 卡、SD 卡、摄像头接口及其他多通道信号线路

五、封装与布局建议

  • 尽量将器件放置在受保护连接器(如 USB、SIM 卡座)与主芯片之间,靠近连接器端放置可最小化未保护走线长度。
  • 过孔与接地平面:在保护器件地端附近布置多颗接地过孔,将地回路压低并缩短环路面积。
  • 掩饰长走线和回路:避免保护器件到受保护信号线之间存在长环路或共模干扰源。
  • 焊接工艺:遵循 DFN 封装的回流焊工艺规范,注意回流曲线与焊盘设计以保障焊接可靠性。

六、选型与注意事项

  • 若工作环境为 5 V 或以下系统,RCLAMP0524P.TCT 的 Vrwm=5 V 与 6 V 击穿电压适配良好;需避免将其用于高于 Vrwm 的持续工作电压环境。
  • 如对钳位电压有更严格要求(例如要求更低电压以保护敏感芯片),应评估钳位电压 15 V 在冲击条件下对受保护器件的影响。
  • 留意器件在实际 PCB 温升与多次冲击后的可靠性,必要时在系统级做浪涌与 ESD 抗扰实验验证。

七、总结

RCLAMP0524P.TCT 是一款面向多通道高速数据线的低容、高可靠性 ESD/浪涌保护器件,结合四路集成、低结电容与符合 IEC 防护标准的特性,非常适合紧凑型消费与工业类电子产品的端口保护需求。DFN2510 小封装有利于空间受限的设计,通过合理的 PCB 布局与接地处理,可在保证信号完整性的同时提供稳健的电气防护。若需更详细的阻抗匹配、钳位曲线或封装管脚资料,建议参考厂家数据手册或联系 JSMSEMI 技术支持。