SQ2361CEES-T1_GE3 产品概述

一、概述

SQ2361CEES-T1_GE3 是一款面向中低功率场合的 P 沟道功率 MOSFET，封装为 SOT-23，适合用于体积受限的高侧开关、电源管理与电池保护等场景。器件由 VISHAY（威世）品牌提供，兼顾开关性能与封装经济性，适用于便携设备与工业控制的小功率路径。

二、主要参数

• 类型：P 沟道 MOSFET
• 漏源耐压 Vdss：60 V
• 连续漏极电流 Id：2.8 A
• 导通电阻 RDS(on)：230 mΩ @ Vgs = 4.5 V（资料中另有 0.17 Ω 标注，差异可能由测试条件或器件分档导致）
• 耗散功率 Pd：2 W（SOT-23 封装，散热受 PCB 设计影响明显）
• 阈值电压 Vgs(th)：2.5 V @ 250 μA
• 栅极电荷 Qg：15 nC（影响开关能耗与驱动需求）
• 输入电容 Ciss：620 pF；反向传输电容 Crss：45 pF；输出电容 Coss：80 pF
• 工作温度范围：-55 ℃ ~ +175 ℃
• 封装：SOT-23（小型表面贴装）

三、典型特性与适用场景

• P 沟道高侧开关：便于在正电源侧实现低件数的开关或断电控制，常用于电源开关、反接保护和负载断开。
• 逻辑/低压驱动：Vgs(th) ≈ 2.5 V，需注意这是阈值电流条件下的测量值，要获得额定 RDS(on) 通常需施加较大的负向栅压（例如 -4.5 V）。
• 便携与电池应用：低至数百毫欧级的 RDS(on) 在小电流场景可接受，栅极电荷中等，适合中频开关频率的电源管理。
• 开关损耗考量：Qg = 15 nC 与 Ciss/Crss 值提示在高频开关时驱动能耗与开关损耗不可忽视。

四、封装与热管理

SOT-23 小封装带来布局便利，但器件 Pd = 2 W 为理想静态耗散值，实际功耗需结合 PCB 铜箔面积与焊盘设计。建议：

• 在热散布处增加铜面积或下层过孔以提高散热能力；
• 评估实际电流与通态压降（I × RDS(on)）产生的发热，避免长期高载导致结温超限。

五、选型与使用建议

• 确保栅源电压幅值足以将器件完全导通，参考 RDS(on) 测试条件（如 Vgs = -4.5 V）进行驱动设计；
• 在高频开关应用评估栅极驱动能量（Qg×Vdrive）和驱动器能力；
• 若工作电流靠近额定 Id，应留有安全余量并增强 PCB 散热；
• 注意封装与热限，必要时选择更低 RDS(on) 或更大封装器件以降低功耗。

六、典型电路示例与注意事项

• 高侧开关：源接到电源，漏接负载，栅极通过驱动或电阻拉到与源相近的电压以关闭，拉低栅极实现导通。
• 反向保护：并联肖特基或与控制逻辑结合实现自动断开，注意选型时考虑 Coss/Crss 对反向恢复的影响。
• 注意 Vgs 最大额定值和在负载切换瞬态时可能出现的超压，必要时并联 RC 或 TVS 进行抑制。

七、总结

SQ2361CEES-T1_GE3 是一款适合体积受限场合的 P 沟道功率 MOSFET，适用于中低功率高侧开关与电源管理。设计时应重点关注栅驱电压、开关损耗与 PCB 散热，以保证在实际应用中既满足导通性能又能维持可靠的热稳定性。