型号:

TPD4E1U06DBVR

品牌:TECH PUBLIC(台舟电子)
封装:SOT-23-6
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
TPD4E1U06DBVR 产品实物图片
TPD4E1U06DBVR 一小时发货
描述:瞬态抑制二极管
库存数量
库存:
2400
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.237007
3000+
0.216
产品参数
属性参数值
极性单向
反向截止电压(Vrwm)5.5V
钳位电压14V
峰值脉冲功率(Ppp)50W@8/20us
击穿电压8.5V
反向电流(Ir)10nA
工作温度-55℃~+125℃
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2
类型TVS
Cj-结电容0.55pF

TPD4E1U06DBVR 产品概述

一、产品简介

TPD4E1U06DBVR 是一款单向瞬态抑制二极管(TVS),由 TECH PUBLIC(台舟电子)推出,采用 SOT-23-6 小型封装,专为保护高速信号线和接口免受瞬态过压(浪涌、静电与脉冲干扰)损害而设计。器件工作电压(Vrwm)为 5.5V,适配常见 5V 系统和接口保护需求。

二、主要电气参数

  • 极性:单向
  • 反向工作电压 Vrwm:5.5 V
  • 击穿电压 Vbr:约 8.5 V
  • 钳位电压 Vclamp:约 14 V(典型,基于 8/20µs 测试条件)
  • 峰值脉冲功率 Ppp:50 W @ 8/20µs
  • 反向电流 Ir:10 nA(常温)
  • 结电容 Cj:0.55 pF(低电容,利于高速信号完整性)
  • 工作温度:-55 ℃ ~ +125 ℃
  • 符合防护等级:IEC 61000-4-2(ESD)、IEC 61000-4-4(EFT)、IEC 61000-4-5(浪涌)

三、核心特性与优势

  • 低结电容(0.55 pF):对高速差分或单端信号线影响极小,适合 USB、HDMI、LVDS 等高速接口。
  • 可靠的峰值能量吸收能力(50 W @ 8/20µs):有效钳制瞬态脉冲,防止下游器件被过压击穿。
  • 低漏电(10 nA):在待机和低功耗设计中对系统影响小。
  • 宽工作温度与工业标准认证:适用于工业、通信与消费电子等苛刻环境。
  • SOT-23-6 紧凑封装:利于多通道保护设计与表面贴装工艺。

四、典型应用场景

  • USB、串口、差分高速数据线保护(字段接口、主从机接口)
  • 工业控制与测量设备的接口防护(传感器线缆、现场总线)
  • 通信设备、路由器与交换机的端口防护
  • 消费类电子与物联网终端的稳健电磁兼容设计

五、封装与布局建议

  • 将 TVS 器件尽量贴近被保护的连接器或接口放置,以缩短寄生电感与寄生电阻,提升钳位效果。
  • 使用低阻抗地平面并配备多条回流焊盘和过孔以降低接地电感。
  • 对高速差分线应保持对称布线并尽量避免在 TVS 与受保护信号间加入长走线或不必要的走线弯折。
  • 在高功率冲击场景下注意散热与能量分散,必要时在 PCB 上提供较大接地铜箔以帮助热散。

六、选型与使用注意事项

  • 确认系统工作电压与 TVS 的 Vrwm 匹配(本器件 Vrwm=5.5V),以免在正常工作时出现误导通。
  • 钳位电压约 14V,应确保被保护器件能承受该峰值或在钳位发生时不会损坏。
  • 在需要多通道保护时,注意封装引脚与通道连接关系并评估总功率分配。
  • 在高温或长期脉冲环境中,参照规格书进行功率与热应力的合理评估与降额设计。

TPD4E1U06DBVR 以其低电容、高浪涌吸收能力和工业级可靠性,适合用于对信号完整性与抗干扰性要求较高的场景,为系统提供稳定可靠的瞬态过压保护。若需要详细引脚定义、测试曲线或参考电路图,请查阅厂方完整数据手册或联系供应商获取支持。