CMSA070N10 产品概述

一、产品简介

CMSA070N10 是广东场效应半导体（CMOS）出品的一款 100V 额定电压 N 沟道功率 MOSFET。器件在 10V 驱动下导通电阻仅 7mΩ，连续漏极电流可达 90A，适合中高压、中大电流的开关与线性功率场合。器件封装为 DFN-8 (5×6)，适配高密度 PCB 设计与良好热管理方案。

二、主要电气参数（关键信息）

• 漏源电压 Vdss：100V
• 连续漏极电流 Id：90A
• 导通电阻 RDS(on)：7mΩ @ Vgs=10V
• 最大耗散功率 Pd：115W（依散热条件而定）
• 阈值电压 Vgs(th)：3V @ 250μA
• 总栅极电荷 Qg：41nC @ Vgs=10V
• 输入电容 Ciss：2.05nF，反向传输电容 Crss：60pF
• 工作温度范围：-55℃ ~ +150℃

三、性能亮点与优势

• 低 RDS(on) 实现低导通损耗，适合高效率应用。
• 较高 Id 与 Pd 指标支持大电流、短时高功率场景。
• 适度的 Crss（60pF）有利于降低米勒效应对开关过渡的影响。
• DFN-8 小尺寸封装利于高密度布板，同时配合露铜垫可获得良好散热性能。

四、典型应用

• 同步整流与降压 DC-DC 转换器（中高压侧）
• 电机驱动与逆变器的半桥/全桥开关管
• 开关电源、热插拔电路与电源分配开关
• 汽车电子（前提满足汽车级验证）与工业电源控制

五、设计与使用注意事项

• 推荐使用 10V 驱动以达到标称 RDS(on)，若仅用 4.5V 或更低电压驱动，导通电阻会显著增大。
• Qg=41nC 对驱动器要求较高，驱动器需具备足够峰值电流以实现期望开关速度；可通过合适栅阻（如 5–20Ω）调节开关过渡以平衡开关损耗与 EMI。
• Pd 标称值依赖 PCB 热阻，DFN-8 封装需在 PCB 底部提供大面积铜箔、多个过孔和热垫以降低结到环境热阻。
• 布局建议：栅极与驱动线短且粗，源端近地回流路径最短，漏端走宽铜箔并多过孔引入底层散热层；在开关节点布置足够旁路电容以抑制尖峰。

六、封装与可靠性

DFN-8 (5×6) 提供紧凑尺寸与低寄生电感的优点，适合高频应用。但需重视焊盘与暴露铜面散热设计，建议参考厂商推荐的焊盘样式与过孔布局。器件工作温度范围宽（-55～+150℃），但长期可靠性依赖实际结温，应控制结温在安全范围内以延长寿命。

七、选型建议

若目标应用要求 100V 等级且需兼顾低导通损耗与大电流能力，CMSA070N10 是性价比突出的选择。选型时验证驱动电压、开关频率与 PCB 热管理能否匹配器件的 Qg、Pd 与 RDS(on) 要求。如需更低栅电荷或更高速度，可在系统层面权衡驱动能力与 EMC 抑制策略。

若需更详细的封装尺寸、热阻模型或典型开关损耗曲线，请参照厂商数据手册或联系供应商获取应用资料与参考布局示意。