CL21B225KBYVPNE 产品概述

一、基本参数

• 容值：2.2 μF（225）
• 精度：±10%（K）
• 额定电压：50 V DC
• 温度系数：X7R（-55°C 至 +125°C，温度引起的电容变化在规定范围内）
• 封装：0805（2012公制，约2.0 × 1.25 mm），厚度 1.25 mm
• 品牌：SAMSUNG（三星）
• 类型：车规用多层陶瓷电容（MLCC）

二、主要特性与电气性能

CL21B225KBYVPNE 采用 X7R 型陶瓷介质，兼顾较高的容值与温度稳定性，适合对温度范围有中等要求的电源与去耦场合。X7R 的典型温度工作范围为 -55°C 至 +125°C。作为 50 V 额定电压元件，在直流偏置下电容值会随电压升高而下降，这是陶瓷介质的固有特性，设计时需考虑 DC-bias 影响并在实测条件下确认实际有效电容。

三、典型应用场景

• 汽车电子（车规级 ECU、传感器供电去耦）
• 电源输入/输出旁路与去耦（稳压器、DC-DC 转换器）
• 滤波与能量缓冲（中低频段）
• 工业控制与通信终端的高可靠性场合

四、封装与机械特性

0805（2012）封装尺寸小且厚度为 1.25 mm，便于在受限空间内实现较大容值布局。表面贴装工艺兼容标准回流焊流程，但因陶瓷器件对机械应力敏感，PCB 设计与焊接工艺需注意热冲击与弯曲应力以避免裂纹或寿命下降。

五、设计与使用建议

• 在关键车规应用中建议参考制造商的电压降额建议（对 DC-bias 敏感，应留有余量）。
• 布局时将此类去耦电容靠近 IC 电源引脚放置，以降低寄生感抗与回路面积。
• 回流焊温度曲线按三星推荐的热曲线执行，避免过长的高温暴露。
• 避免在装配或测试过程中对电容施加过大的弯曲或机械应力；使用适配的焊盘与过孔设计以降低裂纹风险。

六、质量与可靠性说明

该器件面向车规应用，生产与测试流程通常满足汽车电子对可靠性的更高要求（如抗振动、温度循环等）。如需确认证书（例如 AEC‑Q200 或具体可靠性数据、湿敏等级、焊接认证），建议向供应商索取最新的合格证书与可靠性报告，以便在整车或关键系统设计中进行合规性验证。