型号:

OPA2830IDR

品牌:TI(德州仪器)
封装:8-SOIC
批次:25+
包装:-
重量:0.104g
其他:
-
OPA2830IDR 产品实物图片
OPA2830IDR 一小时发货
描述:运算放大器 1.5mV 双路 5uA 100MHz SOIC-8
库存数量
库存:
180
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
7.93
2500+
7.66
产品参数
属性参数值
放大器数双路
最大电源宽度(Vdd-Vss)11V
增益带宽积(GBP)100MHz
输入失调电压(Vos)1.5mV
输入失调电压温漂(Vos TC)22uV/℃
压摆率(SR)560V/us
输入偏置电流(Ib)5uA
输入失调电流(Ios)200nA
噪声密度(eN)9.2nV/√Hz@1MHz
共模抑制比(CMRR)80dB
输入失调电流温漂(Ios TC)5nA/℃
静态电流(Iq)7.8mA
输出电流75mA
工作温度-40℃~+85℃
单电源3.2V~11V
双电源(Vee~Vcc)-5.5V~5.5V

OPA2830IDR 产品概述

OPA2830IDR 是德州仪器(TI)出品的一款双路高性能运算放大器,面向对带宽、压摆率与噪声有较高要求的通用精密模拟电路。器件以较低的输入失调电压、较小的偏置电流和优异的动态性能,实现了在宽电源范围内稳定、快速的信号放大能力,适合工业控制、数据采集、驱动和滤波等应用场景。

一、主要规格要点

  • 放大器通道数:双路
  • 最大电源差(VDD–VSS):11 V
  • 增益带宽积(GBP):100 MHz
  • 输入失调电压(Vos):典型 1.5 mV
  • 输入失调电压温漂(Vos TC):22 µV/°C
  • 压摆率(SR):560 V/µs
  • 输入偏置电流(Ib):典型 5 µA
  • 输入失调电流(Ios):典型 200 nA,温漂 5 nA/°C
  • 噪声密度(eN):9.2 nV/√Hz @ 1 MHz
  • 共模抑制比(CMRR):80 dB
  • 静态电流(Iq):典型 7.8 mA(每通道)
  • 输出电流驱动能力:可达 75 mA
  • 工作温度范围:-40 ℃ ~ +85 ℃
  • 电源范围:单电源 3.2 V ~ 11 V;双电源 ±5.5 V(±5.5V 表示 VEE ~ VCC)
  • 封装:8-SOIC(标识:OPA2830IDR)

二、核心特性与优势

  • 高带宽与大压摆率:100 MHz 的 GBP 与 560 V/µs 的压摆率,使得器件在快速边沿、宽带放大和高频滤波中有良好响应,适合视频前端、高速采样接口和差分放大器应用。
  • 低失调与稳定的温漂:1.5 mV 的低输入失调与 22 µV/°C 的温漂,降低了零点校准负担,提升长期测量精度。
  • 较小噪声:9.2 nV/√Hz(1 MHz)在中高频段表现良好,有利于低噪声放大链路(如传感器前端、仪表放大器级)。
  • 强输出驱动能力:75 mA 的输出电流能力可直接驱动较低阻抗负载或作为后级缓冲使用。
  • 宽电源适用性:支持从 3.2 V 单电源到 ±5.5 V 的双电源,便于在多种系统电源架构中使用。

三、典型应用场景

  • 传感器信号放大(应对低电平差分信号)
  • 数据采集前端与采样保持放大器
  • 主动滤波器、差分放大与电平移位电路
  • 视频/宽带信号缓冲与驱动
  • 工业控制与模拟接口电路

四、设计注意事项与建议

  • 电源去耦:为保证高频性能与稳定性,建议在靠近器件的 VCC、VEE 引脚布置 0.1 µF 陶瓷去耦电容和 10 µF 旁路电容,减小电源阻抗与环路振铃。
  • 布局与接地:高速、低噪声设计要求短信号路径与单点接地,避免长引线与大回流环路,以降低寄生电感和噪声耦合。
  • 闭环增益限制:100 MHz 的 GBP 意味着闭环增益与带宽成反比,设计滤波或放大倍数时需权衡带宽需求与稳定裕度。高增益下注意补偿与频率补偿网络的选择。
  • 输入源阻抗与偏置电流:输入偏置电流约 5 µA,在高阻抗源或精密差分测量中应考虑偏置电流产生的误差,必要时在反相/同相端增加匹配电阻以减小偏置引起的失调电压。
  • 噪声与布局:对噪声敏感的应用应尽量缩短信号回路、使用屏蔽与差分接法,降低外来干扰对前端增益的影响。
  • 热管理:在高静态电流与大输出驱动时注意封装散热,保证在工业温度范围内的可靠性。

五、封装与订购信息

  • 器件型号:OPA2830IDR
  • 封装形式:8 引脚 SOIC(SOIC-8)
  • 生产厂商:Texas Instruments(德州仪器)
  • 建议在采购时核对批次、温度等级与原厂数据表以确保满足具体应用需求。

总结:OPA2830IDR 将高带宽、快速动态性能与较低失调噪声结合在一个双通道 SOIC 封装中,适合要求带宽与响应速度同时兼顾精度的多种模拟前端与驱动场合。在实际设计中,通过合理的去耦、布局与增益设置,可充分发挥该器件的性能优势。