STB18NM80 产品概述

STB18NM80 是意法半导体（ST）一款 800V 耐压的 N 沟增强型功率 MOSFET，采用 D2PAK 表面贴装封装，面向高压开关和电源应用。该器件在 10V 栅压下具有适中的导通电阻与较高的连续电流能力，适合用于高压开关、反激/正激式电源、功率因数校正（PFC）和工业电源等场合。

一、主要规格与参数

• 类型：N 沟 MOSFET（增强型）
• 数量：1 个 N 沟
• 漏源电压 Vdss：800 V
• 连续漏极电流 Id：17 A
• 导通电阻 RDS(on)：295 mΩ @ Vgs = 10 V
• 耗散功率 Pd：190 W
• 阈值电压 Vgs(th)：5 V
• 栅极电荷 Qg：70 nC @ 10 V
• 输入电容 Ciss：2.07 nF
• 反向传输电容 Crss：29 pF
• 封装：D2PAK（大面积散热片与焊盘，适合波峰/回流焊）

二、性能亮点

• 高耐压（800V）：适合直接用于离线高压域或半桥/桥式拓扑的高压开关器件。
• 可观的连续电流能力（17A）：在合适散热条件下可承担中等功率负载。
• 典型 RDS(on) 在 10V 驱动下为 295 mΩ，对于 800V 级别的 MOSFET 属于可接受的导通电阻，适合高压低至中等电流场合。
• 相对较大的栅极电荷（70 nC）：开关驱动需考虑栅极驱动能力以获得理想切换性能。

三、开关与栅极驱动考虑

• 建议使用稳健的栅极驱动器，推荐工作栅压 10V，以获得标称 RDS(on)。
• Qg = 70 nC 表示栅极电荷量偏大，若采用高速开关（高频率或快速边沿）需提供足够的驱动电流，否则开关切换会变慢并增加开关损耗。
• Crss（29 pF）较小，Miller 效应影响有限，但在高 dv/dt 场合仍需注意可能的误驱动。建议在门极串联小阻（10–47 Ω，根据驱动强度和 EMI 要求调整）以平衡开关损耗与 EMI。

四、热管理与封装

• D2PAK 提供良好的底板散热面与焊盘过孔配合使用，可通过大面积铜箔和底层散热逃逸热量。
• 标注耗散功率 Pd 为 190 W（通常在特定散热条件下测得），设计时需按实际板上散热、环境温度和结到外壳热阻进行降额和计算。
• 热设计中应计算导通损耗（Pcond ≈ I^2 · RDS(on)）与开关损耗，并在高电流工况下优先保证足够的散热能力。

五、典型应用场景

• 离线开关电源（高压侧开关）
• 功率因数校正（PFC）前端高压开关元件
• 中小功率逆变器与驱动电路
• 工业电源及电子镇流器等需要 800V 耐压的电源模块

六、PCB 布局与保护建议

• 将 MOSFET 的栅极走线尽量短且粗，栅极与驱动器之间放置合理的串联电阻与 RC 缓冲以抑制振铃。
• 漏极（TAB）应焊接到大面积散热铜箔或散热片，并考虑多过孔导热到内层或底层散热层。
• 在高压回路上配合 TVS、RC 吸收器或缓冲电路以抑制过冲与能量回注，保护器件并降低 EMI。

七、使用注意事项

• Vgs(th) = 5V 为阈值电压（开启门槛），但并不代表完全导通电压，必须按照 10V 驱动以实现标称 RDS(on)。
• 在高电流或高频切换时需同时考虑导通损耗与开关损耗的叠加，必要时进行仿真或静/动态特性测试。
• 存储与焊接时注意 ESD 防护与温度曲线，D2PAK 可回流焊但要遵循厂商推荐的焊接温度规范（见原厂数据表）。

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