型号:

KSP2222ABU

品牌:ON(安森美)
封装:TO-92-3
批次:25+
包装:-
重量:-
其他:
-
KSP2222ABU 产品实物图片
KSP2222ABU 一小时发货
描述:三极管(BJT) 625mW 40V 600mA NPN TO-92-3
库存数量
库存:
823
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.316
1000+
0.285
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)600mA
集射极击穿电压(Vceo)40V
耗散功率(Pd)625mW
直流电流增益(hFE)75@10mA,10V
特征频率(fT)300MHz
集电极截止电流(Icbo)10nA
集射极饱和电压(VCE(sat))1V@500mA,50mA
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)6V

KSP2222ABU 产品概述

一、产品简介

KSP2222ABU 是一款通用 NPN 结型晶体管,封装为 TO-92-3,品牌为 ON(安森美)。它在中等电流和中等电压条件下表现稳定,适用于开关控制和小信号放大等常见电路应用。器件结构和特性使其在功率与频率之间取得平衡,便于在多种电子设计中替代或作为标准元件使用。

二、主要参数

  • 晶体管类型:NPN
  • 集电极电流 Ic:600 mA(最大)
  • 集-射击穿电压 Vceo:40 V
  • 耗散功率 Pd:625 mW(TO-92 封装条件下)
  • 直流电流增益 hFE:75(条件:Ic=10 mA,Vce=10 V)
  • 特征频率 fT:300 MHz(高频特性良好)
  • 集电极截止电流 Icbo:10 nA(典型,低泄漏)
  • 集射极饱和电压 VCE(sat):1 V(条件:Ic=500 mA, Ib=50 mA)
  • 工作温度范围:-55 ℃ ~ +150 ℃
  • 射基击穿电压 Vebo:6 V

三、特性与优势

  • 中等功率能力:625 mW 的耗散能力配合 600 mA 的集电极电流,使其可胜任低功率继电器驱动、灯驱动及功率晶体管前级等应用。
  • 低饱和电压可实现较小的开关损耗,但在高电流(数百毫安)工作时仍需注意功耗与散热。
  • 提供良好的小信号放大性能(hFE≈75),同时 fT 达到 300 MHz,可用于较高频率的放大或缓冲级。
  • 低漏电流(Icbo≈10 nA)利于高阻抗输入或关断状态下的稳定性。

四、典型应用场景

  • 开关驱动:继电器、指示灯、小型电机驱动(注意散热与电流限制)。
  • 信号放大:音频前级、缓冲器、低噪声放大电路。
  • 高频电路:需要一定带宽的射频前端或缓冲级(在合适偏置下)。
  • 通用替换:常见的通用 NPN 小功率晶体管替代品。

五、使用注意与建议

  • 封装限流:TO-92 封装的散热能力有限,靠近最大额定 Ic 或 Pd 工作时须做降额和良好散热设计。
  • 饱和区开关:在大电流切换(接近 500 mA)时,VCE(sat)≈1 V,会产生显著功耗(P=Ic×VCE);建议增大基极驱动电流或使用并联/更大功率器件。
  • 极限参数:请遵循 Vceo、Vebo 等极限参数,避免基-射反向击穿(Vebo≈6 V)。
  • 管脚与封装:不同生产批次管脚定义可能异同,设计时应以供应商数据手册为准并进行实际管脚确认。

六、选型建议

在需要兼顾成本、频率响应与中等驱动能力的设计中,KSP2222ABU 是可靠选择。若长期高电流或更低 VCE(sat) 要求,建议选用更大封装或专用功率晶体管;若更高增益或更低噪声为主,则可考虑低噪声小信号管替代。最终选型应以实际应用电流、散热条件和可靠性要求为依据,并参考完整数据手册进行验证。