NFA21SL307X1A45L 产品概述

一、产品简介

NFA21SL307X1A45L 为 muRata（村田）系列双通道 EMI 抑制滤波器，采用 RC/LC 混合网络设计，专为 300 MHz 附近的射频与信号线干扰抑制优化。器件为表面贴装阵列封装（0805/2012 公制），尺寸约 1.2 × 2.0 mm，适合高密度 PCB 布局与自动贴装生产。

二、主要电气参数

• 额定电压：10 V DC
• 额定电流：100 mA（每通道）
• 工作频率：300 MHz（目标抑制区）
• 滤波器阶数：4 阶（高阶网络，陡峭衰减特性）
• 容值：22 pF（典型，耦合/旁路电容成分）
• 通道数：2（双通道独立滤波）
• 衰减：典型 25 dB @ 1 GHz（测试环境与 PCB 布局将影响实际性能）
• ESD 保护：无（系统中需另行考虑静电保护）
• 工作温度：-55 ℃ ~ +125 ℃

三、特点与优势

• 高阶（4 阶）滤波结构，提供在目标频段的有效抑制与更陡峭的截止特性。
• 小型阵列封装，节省 PCB 面积并减少贴片次数，利于信号通道的并行布局。
• 低额定电压和电流定位于信号线级别，适合射频、视频、相机接口及高速数字I/O线的 EMI 抑制。
• 宽温度范围和工业级可靠性，适用于车载、工业与消费类环境。

四、典型应用场景

• 移动设备与模块的信号线滤波（RF 前端外部线缆、天线接口除外需注意功率）
• 摄像头、音视频接口、差分数据线或控制总线的干扰抑制
• 工业控制与仪表中对射频干扰的滤波处理
• 需要节省空间且无内置 ESD 的场合（建议外加保护元件）

五、PCB 布局与使用建议

• 器件应尽量靠近干扰源或连线的入口/接口处贴装，以减少干扰耦合路径。
• 每个滤波通道的旁路电容与接地平面应布局紧凑；必要时于滤波器附近布置回流地 via。
• 由于器件不含 ESD，前端若有接触外界的接口，建议并联或并置专用 TVS 二极管或阵列型 ESD 器件。
• 在高频环境下，测试时注意匹配源阻抗与负载阻抗，实际抑制量受测量条件和 PCB 走线影响明显。

六、封装与采购提示

• 标准 0805（2012）阵列封装，兼容常见 SMT 工艺；焊接时请遵循村田推荐的回流温度曲线以保证可靠性。
• 订购时请确认完整料号 NFA21SL307X1A45L，并与供应商核实包装形式与数量以适配生产计划。

总结：NFA21SL307X1A45L 是一款面向信号线、低功率场合的高阶 EMI 抑制器，适合在空间受限且需高效抑制 300 MHz 附近干扰的应用中使用。设计时注意其电压、电流限制与无 ESD 特性，必要时配合外部保护与合理 PCB 布局以达到最佳 EMC 效果。