PESD5V0S1BB 产品概述

一、产品简介

PESD5V0S1BB 是华轩阳电子（HXY MOSFET）推出的一款单路双向瞬态电压抑制器（ESD TVS），封装为紧凑型 SOD-523。器件设计用于对高能量静电放电和瞬态浪涌提供可靠钳位保护，适配消费类电子及高速信号接口的抗扰措施。器件工作温度范围为 -40℃ 至 +125℃，符合现场环境使用要求。

二、主要电气参数

• 极性：双向（可对正、负瞬态进行对称钳位）
• 反向截止电压 Vrwm：5 V
• 击穿电压 Vbr：5.6 V（典型）
• 钳位电压 Vcl：9 V（峰值时）
• 峰值脉冲电流 Ipp：11 A（标准 8/20 μs 波形条件）
• 反向电流 Ir：100 nA（在 Vrwm 下的漏电）
• 结电容 Cj：20 pF（低电容，适合高速信号线）
• 通道数：单路
• 防护等级：满足 IEC 61000-4-2 ESD 标准

三、产品特点与优势

• 双向抑制：对双极性瞬态（正负极）均可抑制，适合差分对或耦合到地的保护场景。
• 低钳位电压：9 V 的峰值钳位可在保护受限电压器件时降低能量传导，提升下游器件安全余量。
• 低结电容（20 pF）：对高速数据、串行接口影响小，可用于 USB、HDMI、LVDS 等信号线。
• 紧凑封装 SOD-523：节省 PCB 空间，便于移动设备与便携产品集成。
• 宽温范围与低泄漏：-40℃~125℃ 工作温度和 100 nA 的低反向电流，适合低功耗与工业级应用。

四、典型应用

• 手机、平板、笔记本等消费电子的 I/O 端口保护（USB、耳机、充电端口）
• 高速差分信号线和通信接口（HDMI、MIPI、LVDS）
• 传感器接口和 IoT 终端设备的外部引脚保护
• 工业控制与医疗设备的静电放电防护

五、使用建议与注意事项

• 尽量将器件放置在需保护端口与 PCB 引脚之间，距离连接器越近防护效果越好。
• 该 TVS 为瞬态能量吸纳器，不适用于持续导通或替代熔断器；频繁大电流冲击会影响寿命。
• 在高速信号线上使用时，注意器件电容对信号完整性的影响，必要时配合系列阻抗匹配元件。
• PCB 布局应保证良好接地回路，减小串扰与回路电感以提升钳位效率。
• 参照厂方数据手册选择合适的峰值脉冲规格，确保 Ipp、功耗和热耗满足应用环境。

PESD5V0S1BB 以其小体积、低电容与可靠的瞬态钳位性能，为需要在有限空间内实现高效 ESD 与浪涌保护的电子设计提供了经济且实用的解决方案。若需进一步的电气曲线、封装尺寸或可靠性测试数据，请参考华轩阳电子产品资料或联系供应商获取完整数据手册。