AON6407-MS 产品概述

一、概述

AON6407-MS 为 P 沟道功率 MOSFET，额定漏源电压 Vdss 30V，适合中低压高侧开关与电源路径管理。器件在 |Vgs|≈4.5V 时表现良好，针对便携与车载辅助电源、负载切换与反向保护等场合具有较高的实用性。

二、主要性能亮点

• 漏源电压：30V
• 连续漏极电流：100A（器件极限，实际应用需依据封装散热与 PCB 设计）
• 导通电阻：6mΩ @ |Vgs|=4.5V（测试电流 15A 条件下）
• 阈值电压：Vgs(th) ≈ 2.5V（250µA 测试参考）
• 总栅极电荷 Qg：60nC @10V，输入电容 Ciss：3.45nF，Crss：140pF，Coss：255pF
• 功耗能力 Pd：120W（需配合良好散热）
• 工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
• 封装：DFN5x6-8L，品牌：MSKSEMI(美森科)

三、典型应用场景

• 电池供电系统的高侧开关与电源切换
• 便携设备、通信设备的负载隔离与省电管理
• 逆向电流保护（取代肖特基二极管的理想二极管实现）
• 电源路径分流与短路限流（需与限流电路配合）

四、驱动与开关性能提示

由于器件为 P 沟道，开通时需使栅极相对源极产生负 Vgs，|Vgs|≈4.5V 可达到标称 Rds(on)。Qg=60nC、Ciss=3.45nF 表明栅极电容较大，驱动速度和驱动电流要求较高，建议使用能提供足够峰值电流的驱动器或在门极串联 10~47Ω 阻值以控制 dv/dt 与振铃。Crss（140pF）影响开关损耗与回流行为，快开关时应注意能量回收与吸收路径设计。

五、封装与散热建议

DFN5x6-8L 封装利于面积受限的应用，但对散热依赖 PCB 大面积铜箔和过孔联通底部散热垫。建议：

• 在 PCB 底层并联多层铜箔导热，使用热过孔连接至内层/底层散热平面；
• 留出足够的焊盘面积并使用热焊盘焊接；
• 在高电流应用中进行温升评估并按需降低占空比或并联器件。

六、选型与注意事项

• 标称 100A 为器件极限或短时能力，持续电流能力受 PCB 散热与环境温度限制，设计时应考虑热阻和 SOA。
• 栅极驱动电压应参考厂家完整数据表以确保 Vgs 不被超过；避免在未知条件下直接施加超过封装/工艺允许的电压。
• 高速切换时关注 EMI、浪涌电流与吸收元件选型（缓冲电阻、RC 或 TVS）。

七、结论

AON6407-MS 是一款适合 30V 级高侧/负载管理的 P 沟道功率 MOSFET，具有低 Rds(on) 与较大的电流能力。在布局与驱动匹配、热管理做到位的前提下，可为便携电源、理想二极管与电源路径切换提供高效解决方案。购买与应用前建议参照厂方完整数据手册并做功率与热仿真验证。