CC0402KRX7R9BB562 产品概述

一、产品简介

CC0402KRX7R9BB562 为 YAGEO（国巨）系列片式多层陶瓷电容（MLCC），标称容值 5.6nF（562 = 5600pF），容差 ±10%，额定电压 50V，介质型号 X7R。封装为 0402（公制 1005，约 1.0 × 0.5 mm），适用于高密度表贴电路板的去耦、滤波与交流耦合等场景。

二、主要参数

• 容值：5.6 nF（5600 pF）
• 容差：±10%（K）
• 额定直流电压：50 V DC
• 介质：X7R（工作温度范围 -55°C 至 +125°C，典型温度偏差 ±15%）
• 封装：0402（1005 公制，约 1.0 × 0.5 mm）
• 制造商：YAGEO（国巨），符合无铅／RoHS 要求（具体合规性请查看厂家资料）

三、特性与优势

• 小尺寸高密度：0402 封装能在有限 PCB 面积上实现更多元件布局，适合便携设备与空间受限的设计。
• 稳定性良好：X7R 介质在宽温区间内具有相对稳定的电容表现，适合一般电源去耦与信号滤波。
• 可靠的品牌与工艺：YAGEO 在陶瓷电容制造上具有成熟产能与质量控制，成品一致性好。
• 可回流焊装：适用于常规无铅回流工艺（请参考厂家回流曲线）。

四、典型应用

• 电源去耦与旁路（SMD 电源网络）
• 高频滤波与阻抗匹配
• 信号耦合与去耦（ADC、DAC、放大器前端）
• 移动终端、可穿戴设备、物联网模块、消费电子等体积受限场合

五、封装与安装建议

• 推荐把去耦电容尽可能靠近 IC 电源引脚布置，以降低寄生 ESL/ESR。
• 对于宽频带去耦，建议与不同容值的小电容并联使用，以覆盖更宽的频率范围。
• 避免在 PCB 上形成过长走线或热应力集中的过孔，焊接时遵循厂家回流曲线（典型 Pb‑free 回流峰值约 245–260°C，但以厂家数据为准）。

六、注意事项与设计建议

• 直流偏置效应：陶瓷电容（尤其在小尺寸、高电压下）会出现直流偏置导致实际电容下降的现象，建议在目标工作电压下进行实测验证。
• 温度与频率依赖：X7R 在极端温度或高频下容值会有变化，关键电路应考虑这些特性对性能的影响。
• 机械应力敏感：0402 为微型封装，焊接与清洗工艺需控制以降低机械应力导致的裂纹风险，必要时在关键器件采用缓冲或结构加固。

若需更详细的电学参数（如 ESR、ESL、温漂曲线、直流偏置曲线或封装 3D 尺寸图），建议参考 YAGEO 官方规格书或提供具体应用场景以便给出更精确的选型与布局建议。