型号:

ESDALC8-1BF4

品牌:ST(意法半导体)
封装:0201
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
ESDALC8-1BF4 产品实物图片
ESDALC8-1BF4 一小时发货
描述:静电和浪涌保护(TVS/ESD) ESDALC8-1BF4
库存数量
库存:
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:15000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.174
15000+
0.162
产品参数
属性参数值
极性双向
反向截止电压(Vrwm)6V
钳位电压7V
峰值脉冲电流(Ipp)8.6A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)165W
击穿电压7V
反向电流(Ir)50nA
通道数单路
工作温度-40℃~+125℃@(Tj)
防护等级IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容30pF

ESDALC8-1BF4 产品概述

一、产品简介

ESDALC8-1BF4 是意法半导体(ST)推出的一款小体积双向瞬态抑制二极管(TVS/ESD),专为接口静电放电和浪涌保护设计。器件为单通道、0201 超小封装,适合空间受限的移动设备与高密度板级保护场合。极性为双向,可在正负瞬态脉冲下对信号线提供对称保护。

二、主要电气参数

  • 反向截止电压 Vrwm:6 V(工作电压参考值)
  • 钳位电压 Vc:7 V(典型钳位性能)
  • 峰值脉冲电流 Ipp:8.6 A @ 8/20 µs
  • 峰值脉冲功率 Ppp:165 W
  • 击穿电压:7 V
  • 反向电流 Ir:50 nA(低漏电)
  • 结电容 Cj:30 pF(对高速信号影响较小)
  • 通道数:单路(单线保护)
  • 工作结温:-40 ℃ ~ +125 ℃
  • 防护等级:符合 IEC 61000-4-2 标准(ESD 抗扰能力)
  • 封装:0201(超小型)

三、产品特点与优势

  • 超小封装(0201),便于在高密度 PCB 上节省空间,适合移动终端与可穿戴设备。
  • 双向结构,可同时抑制正负极性瞬态脉冲,适用于差分与单端信号。
  • 低结电容(30 pF),对多数数据接口的信号完整性影响小,适合低至中速数据线保护。
  • 非常低的反向漏电(50 nA),有利于低功耗系统的待机性能。
  • 良好的8/20 µs 浪涌能力(8.6 A)与165 W 峰值能量,能应对常见的静电和脉冲浪涌事件。
  • 工作温度范围宽,适应工业级与消费电子环境。

四、典型应用场景

  • 手机、平板、可穿戴设备的外部接口(充电口、耳机口、SIM 卡槽等)
  • USB、HDMI、MIPI、音频等点对点接口的端口保护
  • 传感器线、天线接口、IoT 节点与便携设备的板级ESD防护
  • 工业控制设备及白色家电中对瞬态浪涌的局部保护

五、封装与布板建议

  • 器件应尽量靠近需保护的连接器或接口点放置,缩短暴露导线长度以降低感应回路。
  • 对地回流路径应尽量短且低阻,必要时在保护器周围增加接地过孔以增强散流能力。
  • 双向器件无方向性要求,但焊盘设计要匹配0201封装,注意焊膏印刷与回流曲线控制以保证焊接可靠性。
  • 对高速差分信号,评估30 pF 电容对带宽的影响,必要时选择更低电容型号或放置在非关键路径。

六、使用注意事项

  • TVS 为瞬态保护器件,不适用于持续导通或长期承受大功率冲击的场合;遇到严重浪涌事件后应检查器件是否损坏。
  • 0201 封装在贴装和回流过程中对工艺控制要求高,应注意焊接工艺与可靠性验证。
  • 在高速接口应用前,建议通过信号完整性仿真或实验评估结电容引起的反射/带宽影响。

如需详细典型曲线、封装图纸和焊接工艺参数,请参考 ST 官方数据手册与应用说明,以便获得最佳的设计与可靠性保障。