型号:

BWF900N

品牌:BORN(伯恩半导体)
封装:SMD,5x4.2mm
批次:两年内
包装:编带
重量:-
其他:
-
BWF900N 产品实物图片
BWF900N 一小时发货
描述:气体放电管(GDT) BWF900N GDT_4.2X5MM_SM
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商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.838
1000+
0.773
产品参数
属性参数值
极数2
直流击穿电压(Vdc)90V
精度±30%
脉冲放电电流5kA
极间电容0.8pF
冲击击穿电压(Vimp)600V
长度5mm
宽度5mm
高度4.2mm

BWF900N 气体放电管(GDT)产品概述

一. 产品简介

BWF900N 是 BORN(伯恩半导体)推出的一款双极(2 极)表面贴装气体放电管(GDT),型号标注为 GDT_4.2X5MM_SM。器件专为线路级雷击与浪涌防护设计,具备大电流吸收能力与极低的极间电容,适配要求对信号完整性有较高要求的通信与工业接口防护场合。

二. 主要电气与机械参数

  • 极数:2
  • 直流击穿电压 Vdc:90 V(标称,精度 ±30%)
  • 冲击击穿电压 Vimp:600 V
  • 脉冲放电电流:5 kA(典型,8/20 μs 浪涌)
  • 极间电容:0.8 pF(典型,适合高速信号线路)
  • 尺寸:长约 5.0 mm × 宽约 5.0 mm × 高 4.2 mm
  • 封装:SMD,标称占板 5.0 × 4.2 mm(BWF900N GDT_4.2X5MM_SM)
  • 品牌:BORN(伯恩半导体)

三. 主要特性与优势

  • 高浪涌承受能力:可承受高达 5 kA 的脉冲放电电流,适用于雷击及开关冲击工况下的能量耗散。
  • 低漏流、耐高压:常态下呈高阻绝缘状态,直流击穿电压标称 90 V(±30%),冲击时可快速导通以分流大能量。
  • 极低电容:0.8 pF 的极间电容对高速数据线(如以太网、DSL、串行总线)几乎无信号衰减影响,利于保持信号完整性。
  • SMD 封装:适配自动贴装与回流工艺,有利于规模化生产与可靠性一致性。

四. 典型应用场景

  • 电话/宽带接入设备(POTS、xDSL)线路保护
  • 以太网/PoE 接口的防雷防浪涌模块(适配系统最大工作电压需考虑 Vdc)
  • 工业控制总线与远程 I/O 接口的过电压保护
  • 电力/配电监测设备的外部端子防护
  • 需要低电容且大能量吸收的信号防护场合

五. 使用建议与注意事项

  • 与 TVS 二极管配合:GDT 对大电流吸收能力强但触发时间相对较慢,建议与响应更快的 TVS 器件并联(TVS 放在吸收初期能量并限制电压,GDT 负责大能量分流)。
  • 布局位置:优先靠近接口/连接器放置,缩短到地的回流路径,以降低杂散电感和能量回流引起的二次损伤。
  • 工艺兼容性:采用标准 SMD 回流焊工艺,具体回流温度曲线与焊盘设计请参照厂家数据手册以保证可靠焊接与封装完整性。
  • 环境与可靠性:避免在超出额定机械应力或腐蚀性环境中直接暴露,安装过程注意防静电与机械冲击。

六. 小结

BWF900N 以其 5 kA 的脉冲承受能力、低至 0.8 pF 的极间电容以及 SMD 可贴装特性,适合需要兼顾高能量防护与高速信号完整性的场合。设计时应重视与其他过压保护元件的配合和 PCB 布局,以发挥最佳防护效果。有关更详细的电气特性、浪涌试验条件和焊接工艺参数,建议参阅 BORN 官方数据手册或联系供应商获取完整规格说明。