PESD24VS1UB-N 产品概述

PESD24VS1UB-N 是 BORN（伯恩半导体）推出的一款单向瞬态电压抑制二极管（TVS），封装为 SOD-523（SC-79），专为抑制静电放电（ESD）和浪涌干扰而设计。器件在小体积下提供高能量吸收能力和符合工业级抗扰度的保护性能，适合空间受限的消费电子和工业接口保护方案。

一、主要特性

• 极性：单向（优于直流电源和单向信号线路的保护）。
• 反向额定工作电压 Vrwm：24V。
• 钳位电压 Vc：典型 45V（对应峰值脉冲电流时）。
• 峰值脉冲电流 Ipp：5A（8/20μs）。
• 峰值脉冲功率 Ppp：225W@8/20μs（45V×5A）。
• 击穿电压 Vbr：26.7V；静态反向泄漏 Ir：500nA。
• 结电容 Cj：30pF，兼顾保护与信号完整性。

二、典型电气参数（关键值）

• 类型：ESD/浪涌保护 TVS。
• 浪涌与静电防护等级：符合 IEC 61000-4-2（ESD）、IEC 61000-4-4（EFT/快速瞬变）和 IEC 61000-4-5（冲击浪涌）。
• 低漏电、较快响应时间，能在极短时间内钳制过压，保护后端电路。

三、典型应用场景

• 24V 等中低压电源线过压保护与接地参考线保护。
• 通信接口、传感器输入、UART、工业 I/O 以及一般信号线的防护。
• 消费电子、工业控制、楼宇自控及计量设备中对 ESD/浪涌要求较高且空间受限的场合。

四、封装与安装

• SOD-523 小封装（SC-79），适合表面贴装（SMT），利于高密度 PCB 布局。
• 建议将器件置于被保护线与地之间，尽可能缩短到地的回流路径，减少串联阻抗并优化热散布。焊接时注意回流温度曲线与湿敏级别要求。

五、设计与选型建议

• 若应用对高速信号完整性要求极高（例如高速 USB/差分高速总线），建议核查 30pF 是否满足带宽需求，必要时选用低电容型 TVS。
• 在需要更高浪涌吸收能力或多次大能量冲击场合，可考虑并联或选择更大功率等级的器件。
• 留意工作电压裕度：Vrwm=24V 适用于 24V 系统或稍高容许的防护点，若系统工作电压长期高于 24V，应更换对应 Vrwm 更高的产品。

六、认证与可靠性

• 器件符合 IEC 61000-4-2/4-4/4-5 标准，具备工业级电磁兼容（EMC）保护能力。
• 低漏电和稳定的击穿特性保证在长期工作下对后端电路的可靠防护。制造和使用过程中请遵循厂商数据手册的储存、焊接和 ESD 操作规范以确保可靠性。

总结：PESD24VS1UB-N 在极小封装下提供可靠的 24V 级瞬态保护，适合多数需要抗 ESD 与浪涌的空间受限应用。根据具体信号带宽与浪涌能量需求，可在电路设计阶段合理布局与选型。