STP19NF20 产品概述

一、产品简介

STP19NF20 是意法半导体（ST）推出的一款单个 N 沟道功率 MOSFET，封装为标准 TO-220-3，额定漏源电压 Vdss = 200V，适用于中高压开关与功率转换场合。器件以稳健的耐压、适中的导通电阻和良好的开关特性，便于在离散电路与模块化电源中使用。

二、主要电参数

• 类型：N 沟道 MOSFET（单只）
• 漏源电压 Vdss：200 V
• 连续漏极电流 Id：15 A
• 导通电阻 RDS(on)：160 mΩ @ Vgs = 10 V，Id = 7.5 A
• 阈值电压 Vgs(th)：4 V @ Id = 250 μA
• 栅极电荷 Qg：24 nC @ Vgs = 10 V
• 输入电容 Ciss：800 pF；输出电容 Coss：165 pF；反向传输电容 Crss：26 pF
• 功率耗散 Pd：90 W（需配合散热条件）
• 工作温度：-55 ℃ ～ +150 ℃
• 封装：TO-220-3

三、关键性能要点

• 导通性能：在 Vgs = 10 V 时 RDS(on) 为 160 mΩ，适合中等电流场合的低压降开关。注意 RDS(on) 给出的测试电流为 7.5 A，实际高电流工作时热耗和 RDS 增大需考虑。
• 开关特性：总栅电荷 Qg = 24 nC 与 Ciss = 800 pF 表明驱动电容适中，驱动器需具备足够电流能力以实现期望的开关速度；Crss = 26 pF 表示米勒效应可控，但在高 dv/dt 下仍需注意栅极扰动。
• 热管理：额定耗散功率 90 W 为在理想散热条件下的值，TO-220 封装需外接散热片或热沉，并注意温度相关的电流和 RDS(on) 漂移。

四、典型应用

• 开关电源与次级侧开关
• 工业电源、适配器和离散功率模块
• 电机驱动的功率级（中小功率）
• 灯具电子镇流、逆变与高压开关场合
• 通用高压开关和保护电路

五、实用建议与注意事项

• 驱动电压：推荐在 10–12 V 区间驱动以获得标称 RDS(on)；Vgs(th) = 4 V 仅为导通起始参考，不能用于评估全导通状态。
• 栅极设计：建议并联 10–100 Ω 的门阻以抑制振铃和限流；为减小开关损耗并保证快速切换，驱动器需能提供 Qg/td 电流能力。
• 布局与去耦：尽量缩短漏-源以及栅极回路的走线，电源侧靠近器件布置足够的去耦电容以抑制尖峰。
• 反向电流与吸收：器件含体二极管，可承受反向流动，但在感性负载切换时仍建议采用合适的吸收或缓冲电路以保护器件。
• 散热固定：TO-220 安装在散热片时务必使用合适的绝缘垫和散热介质，遵循最大压紧力和螺丝扭矩规范以避免机械应力。

六、封装与可靠性

TO-220-3 提供易于安装和良好散热通道的物理形式，适合实验和工业量产的散热方案。器件额定工作温度宽泛，适应性强，但在高温环境下需对电流进行降额设计以保证长期可靠性。

总结：STP19NF20 在 200V 类别中提供了一款结构简单、驱动要求适中且适用于多种中等功率开关场景的 N 沟道 MOSFET。合理的驱动与散热设计可充分发挥其性能优势。