型号:

SM6T56CAY

品牌:ST(意法半导体)
封装:SMB(DO-214AA)
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
SM6T56CAY 产品实物图片
SM6T56CAY 一小时发货
描述:静电和浪涌保护(TVS/ESD) SM6T56CAY SMB(DO-214AA)
库存数量
库存:
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.836
2500+
0.775
产品参数
属性参数值
极性双向
反向截止电压(Vrwm)47.6V
钳位电压100V
峰值脉冲电流(Ipp)40A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)600W
击穿电压53.2V
反向电流(Ir)200nA
工作温度-55℃~+150℃
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-2
类型TVS

SM6T56CAY (SMB) 产品概述

一、产品简介

SM6T56CAY 是意法半导体(ST)推出的一款双向瞬态电压抑制器(TVS),采用 SMB(DO-214AA)封装,专为静电放电(ESD)和浪涌(Surge/EFT)保护而设计。器件能在高能脉冲下快速钳位,有效保护敏感的电子电路免受电压突变损伤,适用于工业接口、电源总线、通讯端口等场合。

二、主要参数与性能

  • 极性:双向(Bidirectional),适合交流或双向瞬态信号保护。
  • 反向截止电压 Vrwm(最大):47.6 V(工作或保持电压需低于此值)。
  • 击穿电压 Vbr:典型 53.2 V(器件进入限流钳位之前的击穿点)。
  • 钳位电压 Vc(峰值):约 100 V(在指定冲击电流下对应的钳位水平)。
  • 峰值脉冲电流 Ipp:40 A(8/20 µs 标准浪涌波形)。
  • 峰值脉冲功率 Ppp:600 W(8/20 µs 波形下瞬态能量吸收能力)。
  • 反向漏电流 Ir:典型 200 nA(在 Vrwm 下,适合对泄漏敏感的应用)。
  • 工作温度范围:-55 ℃ ~ +150 ℃。
  • 防护等级/兼容标准:满足 IEC 61000-4-4(EFT)与 IEC 61000-4-2(ESD)测试要求(具体测试级别请参照厂方 datasheet)。

这些参数表明器件能在中高能量瞬态下保持可靠钳位,同时具有极低的静态漏电,适合对待机功耗敏感且需抗干扰的系统。

三、典型应用场景

  • 工业控制接口、现场总线保护(例如 RS-485、CAN 等)
  • 电源输入与分配线的浪涌保护(DC/AC 双向场景)
  • 通信设备、基站、路由器的以太网/接口保护(需符合 ESD 测试)
  • 汽车车载电子、测试设备等苛刻环境下的瞬态抑制

四、封装与安装注意事项

  • SMB(DO-214AA)为表面贴装封装,两端为焊盘连接,便于波峰/回流焊工艺。
  • 布局建议:将 TVS 尽可能靠近受保护端口或连接器放置,减小回路电感与走线长度以获得最佳钳位效果;两端加宽铜箔作为散热路径,利于脉冲能量的耗散。
  • 对于双向器件,应在被保护线之间直接并联放置;不宜在高直流偏置下长期工作(Vrwm 需高于正常工作电压)。
  • 焊接与可靠性:遵循厂商的回流曲线与焊接指南,避免超温和长时间加热;长时间高能冲击后建议检测器件是否仍能满足钳位/泄漏指标并必要时更换。

五、选型与工程实践建议

  • 确认系统的最大工作电压(DC/AC 峰值)应显著低于 Vrwm(47.6 V),以防止器件在正常工作条件下导通。
  • 若应用中可能出现更高幅值的浪涌或更长冲击波形,评估能量吸收能力(Ppp、Ipp)是否满足需求,或考虑并联/级联保护策略。
  • 对静态泄漏敏感的应用,可利用本器件 200 nA 的低漏电特性;但在高温下漏电会上升,应留有裕量。
  • 在需要满足特定 IEC 静电/脉冲等级的系统中,结合整机接地、滤波与抑制电路共同验证整机抗扰度。

结语:SM6T56CAY 以其 600 W 的瞬态吸收能力、40 A 的 8/20 µs 峰值电流以及双向保护特性,适用于多种工业与通信场景的浪涌与静电防护。具体应用时请参考 ST 官方 Datasheet 与应用笔记,以获得完整的电气特性曲线与可靠性说明。