AD24C02 产品概述

一、产品简介

AD24C02 是华轩阳电子（HXY MOSFET）推出的一款小容量 I2C 串行 EEPROM，存储容量为 2Kbit（256 字节）。器件支持广泛的工作电压范围 1.8V ~ 5.5V，I2C 总线传输速率可达 1MHz（兼容 100kHz/400kHz/1MHz），封装为 SOT-23-5L，适合空间受限的嵌入式系统与便携设备做非易失性参数或配置信息存储。

二、主要特性

• 接口类型：I2C（7 位寻址，典型基地址 0x50，具体以地址引脚设置为准）
• 存储容量：2Kbit（256 字节）
• 总线速率：最高支持 1MHz（兼容标准模式、快速模式和快速模式 plus）
• 工作电压：1.8V ～ 5.5V，支持多电平系统直接连接（仍需注意总线拉升）
• 写周期时间 Tw：典型 5ms（页面写入后需等待写完成或采用 ACK 轮询）
• 数据保留 TDR：100 年
• 写周期寿命：1,000,000 次
• 工作温度范围：-40℃ ～ +85℃
• 封装：SOT-23-5L，适合 SMT 装配与紧凑 BOM 设计

三、功能与读写模式

• 支持字节写、页面写与顺序读（在地址到达末端后回到起始地址）
• 随机读通常通过先发送内部地址指针再发起读序列完成
• 页面写可在一次写周期内写入多字节以提高效率（常见页长为 8 或 16 字节，具体请参照数据手册）
• 写操作完成前器件对总线会 NACK，建议通过 ACK 轮询快速判断器件是否就绪以缩短等待时间

四、设计注意事项

• 总线拉升电阻：根据工作频率与总线电容选择，经验值：100kHz 使用 4.7k10k，400kHz 使用 2.2k4.7k，1MHz 使用 1k~2.2k。
• 去耦电容：在 VCC 与 GND 之间放置 0.1µF 陶瓷去耦，靠近器件引脚布局。
• 地址与写保护：若封装带有 A0/A1/A2 引脚，可通过硬件设置设备地址；若支持 WP 引脚，可用于硬件写保护（请参考具体引脚定义）。
• 布线与 EMC：SDA/SCL 线尽量短且并行避免长链；必要时加小电容或串联阻抗以改善波形。
• 电平兼容：器件支持 1.8V 最低供电，直接与 3.3V/5V 主控兼容，但若多电源系统共用 I2C，总线回路需按系统电平管理。

五、典型应用

• 系统配置与校准参数存储（例如启动参数、校准系数）
• 产品序列号、生产日期、固件版本等非易失性信息保存
• 传感器标定值、用户偏好设置、微控制器的备份存储
• 工业控制、消费电子、物联网设备及低功耗便携式产品

六、封装与可靠性

SOT-23-5L 封装体积小巧，适合密集 PCB 布局。器件经过设计以满足长时间数据保持（100 年）和高写入耐久性（100 万次），在 -40℃ 至 +85℃ 的工业温度范围内可靠工作，适用于工业级应用。

结论：AD24C02 在 1.8V~5.5V 宽电压、1MHz 高速 I2C 支持、长数据保留与高擦写寿命等方面具备明显优势，适合需要小容量、低成本、稳定非易失性存储的嵌入式与工业应用。在设计中请以产品数据手册为最终依据，特别关注页面大小、引脚定义与时序约束。