型号:

CL03A225MQ3CRNC

品牌:JSMSEMI(杰盛微)
封装:0201
批次:25+
包装:编带
重量:0.009g
其他:
-
CL03A225MQ3CRNC 产品实物图片
CL03A225MQ3CRNC 一小时发货
描述:未分类
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商品单价
梯度内地(含税)
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0.0159
15000+
0.0127
产品参数
属性参数值
容值2.2uF
精度±20%
额定电压6.3V
温度系数X5R

CL03A225MQ3CRNC 产品概述

一、产品简介

CL03A225MQ3CRNC 是杰盛微(JSMSEMI)的一款超小尺寸多层陶瓷电容(MLCC),标称容量 2.2μF,公差 ±20%,额定电压 6.3V,介质类型为 X5R,封装为 0201 表贴。该器件定位于对体积要求极高的移动设备、可穿戴设备与物联网终端等场景,兼顾高容值与薄型化装配需求。

二、主要参数

  • 容值:2.2μF
  • 精度:±20%
  • 额定电压:6.3V DC
  • 介质温度特性:X5R(适用温度范围通常为 −55°C 至 +85°C)
  • 封装:0201(超小型片式封装)
  • 品牌:JSMSEMI(杰盛微)

三、性能特点

  • 小体积高容量:0201 封装在占板面积极小的情况下实现较高的电容量,利于高密度 PCB 设计。
  • 温度特性与电场依赖:X5R 介质允许在宽温度范围内保持工作,但相较于 NP0/C0G,X5R 存在较明显的温度漂移与电压偏移(DC bias)现象,实际工作电压下有效电容可能下降,应在设计中考虑。
  • 高频性能与旁路能力:适合做去耦/旁路用途,能在中高频范围内改善电源稳定性,减少瞬态噪声。
  • 可回流焊兼容:适合 SMT 贴装与常规回流焊工艺(遵循厂家回流曲线)。

四、典型应用

  • 移动终端与智能穿戴:空间受限且对旁路电容需求大的场合。
  • 电源去耦与稳压环路:紧靠电源芯片或 MCU 的 VCC 引脚,以降低瞬态电压跌落。
  • IoT 与低功耗设备:对体积与重量敏感的电路板布局中作为主旁路件。
  • 空间受限的模拟或数模混合电路去耦。

五、布板与焊接建议

  • 靠近芯片电源引脚放置:将电容焊盘尽量靠近电源管脚,最短走线以减小 ESL/ESR。
  • 并联使用:在需要更低 ESR/更宽频带的场景,可与其它不同封装或不同容量的 MLCC 并联使用,以优化整体频率响应。
  • 回流焊工艺:遵循制造商提供的回流温度曲线,避免过高温度和过快升温速率,0201 尺寸对贴装精度敏感,需使用合适的取放吸嘴与贴装参数。
  • 防止机械应力:焊接后避免在器件上施加弯曲或外力,板弯与冲击可能导致裂纹或失效。必要时在贴装过程中控制锡膏量以减少热膨胀应力。

六、选型与注意事项

  • 考虑 DC bias 与温度漂移:X5R 在额定电压下仍会出现显著电容下降,设计时建议考虑裕量或测量实际工作点的电容-电压曲线。
  • 公差与容值匹配:±20% 公差在某些精密滤波或时间常数电路中可能需要更严的容差,请根据电路敏感度选择。
  • 可靠性验证:在关键应用中,建议进行样件评估,包括热循环、焊接可行性、长期漂移测试等。

七、包装与供应

  • 常见为带卷(Tape & Reel)包装,适用于自动化 SMT 生产线。
  • 采购时可与供应商确认最小包装数量、库存与可用性,以及是否提供产品规格书与可靠性测试报告。

总结:CL03A225MQ3CRNC 以其超小封装与较高容值适合空间受限的电子产品去耦与去噪场合,但因 X5R 介质的温度与电压依赖性,在关键电路设计中需进行 DC bias 与温漂评估,并遵循贴装与焊接工艺规范以保证可靠性。若需更详细的电容随电压/温度的曲线或焊接曲线,请联系供应商获取完整规格书。