ES1G_R1_00101 产品概述

一、产品简介

ES1G_R1_00101 为强茂（PANJIT）出品的独立式快恢复/高效率二极管，封装为 SMA。该器件针对开关电源和整流应用优化，提供良好的开关速度与低正向压降，适用于中等频率电源与保护电路。

二、主要参数

• 型号：ES1G_R1_00101
• 封装：SMA（独立式）
• 正向压降：Vf = 1.25V @ IF = 1A
• 直流反向耐压：VR = 400V
• 整流电流：IF = 1A（连续）
• 非重复峰值浪涌电流：IFSM = 30A
• 反向电流：IR = 1µA @ VR = 400V
• 反向恢复时间：Trr = 35ns
• 工作结温范围：Tj = -55℃ ~ +150℃

三、产品特性与优势

• 低正向压降（1.25V@1A）降低导通损耗，有利于提升系统效率并减小热量产生。
• 快恢复特性（Trr = 35ns）有效降低开关损耗与开关尖峰，适合中高频整流与自由轮回场合。
• 低反向漏电（1µA@400V）适用于高压侧低待机功耗设计，减少静态损耗。
• SMA 封装便于点对点安装与更换，适配多种 PCB 布局。

四、典型应用

• 开关电源整流（中小功率）
• 适配器/充电器输出整流与反接保护
• 电机驱动的自由轮回二极管
• 太阳能逆变器及微型逆变器辅助整流
• 功率因数校正（PFC）与中间回路保护

五、热管理与可靠性

即使工作结温可达 +150℃，长期可靠运行仍建议在设计时考虑热沉与散热铜箔。SMA 封装热阻相对较高，应通过扩大焊盘铜面积、加装底层散热通孔或局部散热片来降低结温。焊接工艺应遵循厂商温度曲线，避免过热造成封装损伤。

六、设计注意事项

• 在高频开关应用中，尽管 Trr 为 35ns，仍需评估反向恢复产生的峰值电流与能量，必要时配合 RC/RCD 吸收或缓冲网络。
• 浪涌流 Ifsm = 30A 为单次峰值能力，设计中应避免频繁超额冲击。
• 布局时保持正负极走线短且粗，减小寄生电感以降低尖峰电压。
• 对于高可靠性或长寿命场景，建议预留余量并进行温度应力验证和实测寿命评估。

如需封装尺寸、伏安曲线及封装管脚图纸或样品信息，可提供进一步支持。