AO4805 — 产品概述

一、概述

AO4805 是由 JSMSEMI（杰盛微）推出的一款双通道 P 沟道功率 MOSFET，双管封装于 SOP-8 体积内，针对低压、高效率的高侧开关与功率管理应用进行了优化。器件在小型化封装下提供较低的导通电阻和较高的电流能力，适用于电池供电设备、电源保护、负载切换等场合。

二、主要参数（重点规格）

• 通道数：2 个 P 型 MOSFET（双通道）
• 漏源耐压 Vdss：30 V
• 连续漏极电流 Id：9 A（热限及封装散热条件下）
• 导通电阻 RDS(on)：19 mΩ @ |Vgs|=4.5 V, Id=5 A（典型测试条件）
• 耗散功率 Pd：约 2.1 W（SOP-8 封装，依散热条件变化）
• 栅源阈值电压 |Vgs(th)|：约 2.5 V（注意为阈值绝对值，P 沟道取负向驱动）
• 总栅极电荷 Qg：30 nC @ 15 V
• 输入电容 Ciss：1.8 nF @ 15 V
• 反向传输电容 Crss：216 pF @ 15 V
• 工作温度范围：-55 ℃ ～ +150 ℃
• 封装：SOP-8
• 品牌：JSMSEMI（杰盛微）

三、特点与优势

1. 低导通电阻：19 mΩ（在 |Vgs|=4.5V 下）有利于减小导通损耗，提高效率。
2. 双通道集成：两个 P 沟道 MOSFET 集成于一个 SOP-8 封装，节省 PCB 面积，方便做高侧双路控制或并联以降低等效 RDS(on)。
3. 合理的栅极电荷：Qg 30 nC（15V）在开关能量与驱动能量之间取得平衡，适用于中低频开关场合。
4. 宽温度范围与工业级可靠性，适合一般消费与工业电子应用。

四、典型应用场景

• 电源管理与高侧开关（便于在正电源侧实现断开控制）
• 电池供电的电源路径切换与反向电流阻断
• 便携设备与充电管理电路
• DC-DC 转换器中的补充开关或保护开关
• 小功率电机/执行器驱动与负载切换

五、使用建议与注意事项

• 栅极驱动：P 沟道 MOSFET 的栅源电压为 Vg−Vs，典型 RDS(on) 测试在 |Vgs|=4.5V 条件下，建议保证栅压幅度足以使器件完全导通（参考 |Vgs|=4.5V 或更大驱动电压），并注意栅压不要超过器件最大额定 Vgs（请查阅完整数据手册）。
• 热管理：SOP-8 封装的功耗 Pd 受 PCB 铜面积和散热方式影响明显。需在 PCB 设计中增加散热铜箔和必要的过孔/散热片以确保在高电流条件下的可靠工作。
• 布线与封装：尽量缩短漏极/源之间的互连长度，使用较宽的铜箔降低导通电阻和热阻。关键信号建议采用 Kelvin 源测量或单独回流路径以提升测量与控制精度。
• 开关环路与吸收：在驱动感性负载时，注意关断瞬态和寄生电感引起的过压，必要时加入 TVS、RC 吸收或缓冲电路。
• 驱动电阻与栅极抑制：为控制开关速度并抑制振铃，推荐在栅极串联 10–100 Ω 的门阻；同时加入上拉/下拉电阻以保证器件上电/断电状态可控。
• 并联使用：双通道可并联以降低等效 RDS(on)，并联时注意匹配通道热分布与布局，避免单管过热。

六、可靠性与储存

• 器件工作温度范围 -55℃～+150℃，但长期可靠性依赖于工作点与散热设计，请在额定条件下使用。
• SOP-8 为常见封装，建议按 JEDEC 标准处理其潮湿敏感性（若需回流焊，遵循厂方回流曲线和烘烤建议）。

七、总结

AO4805 提供了在小体积 SOP-8 封装下较低的导通电阻和较高的电流承载能力，双 P 沟道的设计使其在高侧开关、电源管理与电池路径切换等应用中具有较好性价比。合理的驱动与 PCB 散热设计可以充分发挥器件性能，满足便携设备与工业控制等多种场景需求。欲获取详细最大额定值、典型特性曲线与封装尺寸，请参照厂家的完整数据手册与应用说明。