GC3D04060A 产品概述

一、产品简介

GC3D04060A 是国晶微半导体（SUPSiC）面向中高压功率应用的一款碳化硅肖特基整流二极管，采用 TO-220-2 封装。器件在 600V 反向电压等级下提供较低的正向压降和极低的反向漏电流，并支持宽范围工作结温，适合高效、紧凑的电源与电力电子系统。

二、主要电气参数

• 整流电流（连续）：13.5 A
• 典型正向压降 Vf：1.7 V @ 4 A
• 直流反向耐压 Vr：600 V
• 反向电流 Ir：25 μA @ 600 V
• 非重复峰值浪涌电流 Ifsm：30.5 A
• 工作结温范围：-55 ℃ ~ +175 ℃

三、产品特点与优势

• 低正向电压：Vf=1.7V（4A）显著降低导通损耗，有利于提升系统效率并减小散热需求。
• 低反向漏电：在 600V 条件下 Ir 仅 25 μA，有利于降低空载损耗及待机功耗。
• 高温工作能力：结温上限达 175 ℃，适应恶劣热工况并提升可靠性裕度。
• 良好的浪涌承受能力：Ifsm 达 30.5A，可应对短时启动或故障浪涌冲击。
• 标准 TO-220-2 封装：便于安装、散热和与常规电源模块兼容。

四、典型应用场景

• 开关电源（SMPS）整流与续流回路
• 功率因数校正（PFC）二极管
• 光伏逆变器与储能电源的整流/保护电路
• 电机驱动及工业电源
• 充电桩、高压直流链路中的防反接/续流应用

五、设计与使用建议

• 散热设计：尽管 SiC 允许高结温，仍建议使用适当散热片或强制风冷以保证长期可靠性；在 TO-220-2 封装下应尽量减低结-壳温差。
• 浪涌与稳压：对可能出现的大电流冲击场合，配合合适的限流元件或软启动电路；必要时并联低阻抗阻尼或 RC 吸收网络以抑制瞬态。
• 并联与分流：并联使用时注意每颗器件的电性与热阻匹配，避免因温度系数差异导致电流不均。
• 焊接与可靠性：遵循供应商焊接温度曲线与封装处理指导，避免在高温或长时间热循环下影响性能。

六、可靠性与选型提示

GC3D04060A 以 SiC 肖特基结构在高压、高频、高温场合表现优异。选型时请结合系统的最大工作电压、脉冲浪涌幅值和功率损耗预算，评估是否需要更高电流或更低 Vf 的型号；系统认证与长期可靠性验证应按行业标准进行。

如需完整的器件晶体管图、典型电路、热阻及封装尺寸等详细资料，请参考供应商数据手册或联系 SUPSiC 技术支持获取最新规格说明。