型号:

TL052CDR

品牌:TI(德州仪器)
封装:8-SOIC
批次:25+
包装:编带
重量:0.173g
其他:
-
TL052CDR 产品实物图片
TL052CDR 一小时发货
描述:FET输入运放 20.7V/us 650uV 30pA 3MHz SOIC-8
库存数量
库存:
2739
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.57
2500+
1.5
产品参数
属性参数值
放大器数双路
增益带宽积(GBP)3.2MHz
输入偏置电流(Ib)150pA
输入失调电压(Vos)730uV
共模抑制比(CMRR)65dB
压摆率(SR)17.8V/us
静态电流(Iq)4.6mA
输入失调电压温漂(Vos TC)8uV/℃
输出电流80mA
工作温度0℃~+70℃
双电源(Vee ~ Vcc)-15V~-5V;5V~15V
最大电源宽度(Vdd-Vss)30V
噪声密度(eN)18nV/√Hz@1kHz
输入失调电流(Ios)100pA

TL052CDR 产品概述

TL052CDR 是德州仪器(TI)推出的一款双通道 FET 输入运算放大器,采用 8-SOIC 封装,适用于要求高输入阻抗、低噪声与中等带宽的模拟前端设计。器件在宽电源范围与常温工况下提供稳定性能,是音频、传感与精密缓冲场合的常用选择。

一、主要性能亮点

  • 双路运放,便于差分或双通道设计集成。
  • 增益带宽积(GBP):3.2 MHz,适合低至中频段放大与滤波。
  • 压摆率(SR):17.8 V/μs,在瞬态响应与驱动容性负载时表现良好。
  • 输入偏置电流(Ib):约 150 pA,FET 输入特性保证高输入阻抗。
  • 输入失调电压(Vos):约 730 μV,温漂(Vos TC):8 μV/℃,利于直流精度要求不高但需稳定性的应用。
  • 噪声密度:18 nV/√Hz @1 kHz,适合常规音频及低噪测量前端。
  • 静态电流(Iq):4.6 mA/通道,输出电流可达 80 mA,最大电源差可达 30 V。

二、电气参数与工作条件

  • 共模抑制比(CMRR):65 dB,对抑制共模干扰有中等能力。
  • 输入失调电流(Ios):100 pA,配合低偏置电流可用于高阻抗传感器接口。
  • 工作温度范围:0 ℃ ~ +70 ℃,适合商用级电子设备。
  • 电源:支持对称电源及单电源供电,典型工作范围 ±5 V ~ ±15 V,或单电源 5 V ~ 15 V(最大电源差 30 V)。在单电源应用中注意输入/输出摆幅限制。

三、典型应用场景

  • 音频前置放大、缓冲器与均衡器。
  • 传感器信号调理(高阻抗传感器、压电/电容传感器等)。
  • 有源滤波器、积分器与模拟运算电路。
  • 仪表放大器的前端缓冲与驱动低阻抗负载(注意输出摆幅与供电限制)。

四、设计与使用建议

  • 电源去耦:靠近器件的 V+、V− 引脚并行 0.1 μF 与 10 μF 去耦,以保证高频与低频稳定。
  • 稳定性:在驱动容性负载或长导线时可在输出与地之间并联小电阻或在反馈环路增加补偿,确保系统稳定。
  • 输入保护:尽量避免输入超过电源轨;外部限流或二极管保护可防止静电或反向电流损坏。
  • 温度与漂移:若要求极低失调或漂移,可在电路中增加偏置调节或采用差分校准方案。

五、封装与引脚(8-SOIC)

推荐器件型号:TL052CDR(TI)。典型引脚排列:1 OUTPUT A、2 IN− A、3 IN+ A、4 V−、5 IN+ B、6 IN− B、7 OUTPUT B、8 V+。封装适合表面贴装生产与紧凑布局。

总结:TL052CDR 以其 FET 输入、高输入阻抗、适中的带宽与良好瞬态性能,适合多类中低频模拟前端应用。在电源与布局合理设计下,可在商用温度范围内提供可靠的放大与信号处理性能。