型号:

SMCJ30CA-L

品牌:晶导微电子
封装:SMC(DO-214AB)
批次:25+
包装:编带
重量:0.373g
其他:
-
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描述:未分类
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产品参数
属性参数值
极性双向
反向截止电压(Vrwm)30V
钳位电压48.4V
峰值脉冲电流(Ipp)12.4A@10/1000us
峰值脉冲功率(Ppp)600W@10/1000us
击穿电压(VBR)36.8V
反向电流(Ir)1uA
工作温度-55℃~+150℃

SMCJ30CA-L 产品概述

一、简介

SMCJ30CA-L 为晶导微电子推出的一款双向瞬态抑制二极管(TVS),采用SMC (DO-214AB) 封装,专用于抑制电源线和信号线的瞬态过电压冲击,保护后端敏感器件免受雷击、开关瞬变及浪涌电压损伤。器件设计兼顾高能量吸收能力与低漏电流,适用于多种工业、通信及民用场景的浪涌保护需求。

二、主要参数

  • 极性:双向(Bidirectional)
  • 反向截止电压 Vrwm:30 V
  • 击穿电压 Vbr(典型):36.8 V
  • 钳位电压 Vc:48.4 V(Ipp 条件下)
  • 峰值脉冲电流 Ipp:12.4 A(10/1000 μs 波形)
  • 峰值脉冲功率 Ppp:600 W(10/1000 μs 波形)
  • 反向电流 Ir:1 μA(在 Vrwm 条件下)
  • 工作温度范围:-55 ℃ ~ +150 ℃
  • 封装:SMC(DO-214AB)
  • 品牌:晶导微电子

三、主要特性与优势

  • 高能量吸收:在10/1000 μs 浪涌测试下可承受 600 W 的瞬时能量,适合长时间、低电流雷击模拟与电力系统浪涌防护。
  • 低钳位电压:典型钳位电压 48.4 V,能在浪涌时将过压限制在较低水平,降低后端电路承受电压应力。
  • 低漏电流:在正常工作电压下漏电仅 1 μA,利于功耗敏感系统的长期稳定运行。
  • 宽温度范围:-55 ℃ 至 +150 ℃,适应工业级及严苛环境工作需求。
  • SMC 封装:功率和散热能力强,便于通过波峰或回流焊接入板,适用于批量生产与自动化装配。

四、典型应用场景

  • 开关电源输入端、直流母线浪涌保护
  • 工业控制设备、电机驱动及PLC 系统的过压保护
  • 光伏逆变器、蓄电系统与不间断电源(UPS)的浪涌防护
  • 通信设备、电能表及楼宇自控的线路保护
  • 舞台照明、工矿照明及大功率 LED 驱动器的防雷浪涌保护

五、电气特性说明(选型参考)

  • Vrwm(工作电压):表示在正常工作状态下可承受的最大直流电压,选型时应大于系统常态电压且小于后端器件的最大允许电压。
  • Vbr(击穿电压):器件进入导通保护状态的电压区间,双向器件在正负方向具有对称性能。
  • Vc(钳位电压):在指定脉冲电流 Ipp 下的电压值,决定被保护电路在浪涌时承受的实际电压水平。
  • Ipp / Ppp 波形说明:给出的 10/1000 μs 波形适用于雷击后的长尾脉冲与电力系统冲击的模拟,选型时应匹配预计浪涌幅值与持续时间。

六、安装与可靠性建议

  • 封装为 SMC,需保证良好焊接工艺与较短的引线长度以减少寄生电感,提升瞬态响应性能。
  • 在高功率或频繁浪涌环境中,建议布局足够的散热铜箔或加装散热元件以防温升。
  • 出厂前应参照晶导微电子提供的回流/波峰焊工艺曲线及湿敏等级(MSL)说明进行处理,避免焊接损坏或潮湿吸收引起的封装开裂。
  • 使用时应保证器件两端无持续过压与频繁超额浪涌,以延长寿命并保证保护性能。

七、选型注意事项

  • 若被保护系统为直流单向线路,优先考虑单向 TVS;双向器件适用于 AC 或可能出现正负方向瞬态的线路。
  • 根据系统最大浪涌电流与允许钳位电压余量选择合适的 Ipp 与 Vc,以确保后端器件安全。
  • 关注实际安装位置的温度环境与散热条件,必要时选择更高功率裕量的型号或并联/串联设计以提升可靠性。

八、结语

SMCJ30CA-L 以其 600 W 的高脉冲能量吸收能力、较低的钳位电压与宽温范围,适合用于多种需要中高能量浪涌防护的场合。最终选型与布局请参照晶导微电子完整数据手册,并与供应商沟通具体应用条件以获得最佳保护效果。