FSV20100V 肖特基二极管产品概述

一、产品简介

FSV20100V 为安森美（ON Semiconductor）推出的一款功率肖特基整流二极管，封装为 TO-277-3。该器件针对中高电流整流及同步整流应用设计，具有低正向压降、快速响应和较低反向漏电流等特点，适用于开关电源、整流桥、车载电源及电机驱动等场景。

二、主要电气参数

• 正向压降 (Vf)：660 mV @ 20 A（典型/测试条件注明20A）
• 直流反向耐压 (Vr)：100 V
• 平均整流电流：20 A
• 反向漏电流 (Ir)：80 μA @ 100 V
• 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)：270 A（请参考原厂数据表获取浪涌波形和时长条件）
• 工作结温范围：-55 ℃ ～ +150 ℃

三、封装与机械特性

TO-277-3 为三引脚功率封装，便于板端焊接与散热片连接。封装的机械稳定性和热传导性能适合中大功率整流应用；实际设计中建议配合合适的散热片或大铜面积铺铜以降低结温。

四、主要特性与优势

• 低导通压降：660 mV 在高电流条件下可显著降低导通损耗，有利于提高效率并减小发热。
• 快速响应、低反向恢复（肖特基本征）：适合高开关频率的电源拓扑，可降低开关损耗与电磁干扰。
• 低反向漏电：80 μA 在高压下保持较低漏流，利于高阻抗回路和待机能耗优化。
• 良好浪涌承受能力：270 A 的峰值浪涌能力增强了对启动、电源瞬变或短时过载的耐受性。

五、典型应用

• 开关电源二次整流与同步整流替代器件
• 车载电源和车用电子模块（满足宽温度设计）
• 适配器、工业电源、功率模块的输出整流
• 电池充放电路径、逆变器小功率支路

六、热管理与可靠性建议

在20 A 连续工作时，器件导通损耗约为 Vf × If ≈ 0.66 V × 20 A ≈ 13.2 W，必须做好热沉设计。建议：

• 在 PCB 上使用大面积铜箔并辅以过孔散热；
• 必要时将器件安装在金属散热片并采用硅脂或相应热界面材料；
• 设计时保证结温不超过+150 ℃的极限并留有安全裕量；
• 浪涌条件请参照原厂波形说明，避免超出 Ifsm 规格的重复冲击。

七、典型电路与布局建议

• 将肖特基近距离靠近负载或开关器件放置，缩短回流路径以降低寄生感抗；
• 在高频开关环境下，适当并联阻容吸收或 RC/TVS 抑制尖峰；
• 对于多个并联使用，确保电流均流（使用小阻值平衡电阻或匹配器件特性）。

八、订购与资料参考

器件品牌：ON（安森美）；封装：TO-277-3；型号：FSV20100V。具体引脚排列、热阻、典型特性曲线与浪涌测试条件请以安森美官方数据表为准，生产选型时建议核对批次和封装制程的最新资料。

如需针对具体应用（如某型号开关电源、车规设计）进行损耗评估或散热方案建议，可提供电路参数以便给出详细计算与布局优化建议。