ISL55110IVZ-T 产品概述

一、概述

ISL55110IVZ-T 是瑞萨（RENESAS）面向功率 MOSFET 半桥驱动的双通道驱动器，采用 8 引脚 TSSOP 封装。器件专为数字成像等对开关速度与驱动能力有较高要求的系统设计，能在 5V 至 13.2V 的工作电源下稳定工作，提供对 N 沟功率 MOSFET 的高性能驱动。

二、主要性能参数

• 驱动通道数：2（半桥配置）
• 输出拉电流 (IOH)：3.5 A
• 输出灌电流 (IOL)：3.5 A
• 工作电压：5 V ~ 13.2 V
• 上升时间 (tr)：1.2 ns
• 下降时间 (tf)：1.4 ns
• 传播延迟 tpLH：10.9 ns；tpHL：10.7 ns
• 工作温度：-40 ℃ ~ +85 ℃
• 静态电流 (Iq)：4 mA
• 封装：TSSOP-8
• 品牌：RENESAS（瑞萨）

三、功能与特点

• 对称的高/低侧驱动能力，适合半桥拓扑，输出驱动源/吸能力均为 3.5A，能够快速驱动大型功率 MOSFET，降低开关损耗。
• 快速上升/下降时间（约 1.2ns/1.4ns）配合低传播延迟，实现精确的时序控制，满足高速开关场景需求。
• 宽输入电压范围（5V–13.2V），便于与不同电源架构集成。
• 低静态电流（约 4mA），在待机或低占空比应用下有利于系统能耗控制。
• 工业级温度范围，适用于严苛环境下的可靠工作。

四、典型应用场景

• 数字成像系统（摄像头、图像传感器供电开关）
• 电源管理与 DC-DC 半桥转换器
• 马达驱动、小功率逆变器与开关电源
• 需要快速开关与高峰值驱动能力的功率级控制电路

五、封装与布局注意事项

• TSSOP-8 紧凑封装便于 PCB 布局，但高驱动电流下需做好散热与寄生电感控制：靠近电源与 MOSFET 引脚配置去耦电容，短而粗的布线以减少环路电感。
• 输出引脚驱动瞬态较快，建议在驱动器与 MOSFET 之间并联合适的门极电阻以抑制振铃并控制开关过渡斜率。
• 注意电源旁路和地线回流路径设计，降低 EMI 干扰并保证驱动稳定性。

六、总结

ISL55110IVZ-T 为需要高速、强驱动能力的半桥功率开关应用提供了可靠的解决方案。其对称的高/低侧 3.5A 驱动能力、亚纳秒级的上升/下降时间与工业温度范围，使其在数字成像及各类开关电源和驱动场景中具有明显优势。设计时重点关注电磁兼容与热管理，可充分发挥其性能。