1206W3F750MT5E — UNI-ROYAL(厚声) 1206 0.075Ω ±1% 1/4W 厚膜超低阻贴片电阻 产品概述

一、产品简介

1206W3F750MT5E 为 UNI-ROYAL（厚声）系列厚膜超低阻值贴片电阻，阻值 0.075Ω（75mΩ），精度 ±1%，额定功率约 1/4W（333mW），工作电压最高 200V，温度系数（TCR）±800ppm/℃，工作温度范围 -55℃ ~ +155℃，封装尺寸 1206，适用于高密度表贴电路板的低阻测量与分流场景。

二、主要性能特点

• 低阻值、低压降：75mΩ 在大电流测量时电压损耗小，适合电流检测场合。
• 高精度：±1% 公差，配合良好电路设计可实现可靠的电流反馈。
• 良好功率承载：额定功率 333mW，短时允许更高脉冲功率。
• 标准 1206 封装：兼容常规 SMT 生产线，易于自动贴装与回流焊接。
• 工艺稳定：厚膜工艺成本优势明显，环境适应性好，满足常用电子产品可靠性要求。

三、典型应用场景

• 电池管理系统（BMS）、锂电充放电电流检测；
• DC-DC 转换器、稳压电源中的取样电阻；
• 马达驱动与电机控制的电流检测；
• 开关电源的过流保护与检测；
• 测试夹具与量测设备中作为分流电阻使用。

四、设计与热管理建议

• 最大持续电流估算：I_max ≈ sqrt(P/R) = sqrt(0.333W / 0.075Ω) ≈ 2.1A（理论值），推荐按照 PCB 散热条件适当降额使用以保证长期可靠性。
• 电压降举例：1A 时电压降约 75mV，功耗约 75mW；2A 时电压降约 150mV，功耗约 300mW，接近额定功率上限。
• TCR 影响：±800ppm/℃ 对 0.075Ω 的温度漂移约为 0.06mΩ/℃，在大温度变化下需考虑漂移对测量精度的贡献（例如 ΔT=50℃ 时约 ±3mΩ，约占 4%）。
• 布局建议：采用加宽铜箔、加焊盘和多孔通孔导热到内层/底层铜，尽量缩短连接路径；对高精度测量建议采用四线（Kelvin）测量结构以消除引线阻抗干扰。

五、封装与焊接注意事项

• 遵循 SMT 回流焊曲线规范，避免超温或长时高温滞留；
• 推荐使用厂方或行业标准的焊盘设计以获得良好焊接可靠性；
• 避免在元件上施加机械应力（弯曲、挤压）以防断裂或阻值漂移。

六、存储与可靠性

• 常温干燥环境下保存，避免潮湿和腐蚀性气体；
• 使用前尽量在封装条件下保持干燥，防止焊接时产生缺陷；
• 在高震动或极端温度循环环境下需进行可靠性验证。

七、订购与包装说明

1206W3F750MT5E 为标准表贴型号，T5E 代码通常用于标识卷带（Tape & Reel）等 SMT 供料包装，便于自动贴装。选型时请确认所需数量、包装方式及环境认证要求。

如需进一步的电阻温漂曲线、封装尺寸图或回流焊曲线建议，可提供给出具体应用环境与 PCB 热阻信息，以便给出更精确的选型与布局建议。