STD11N60DM2 产品概述

一、产品简介

STD11N60DM2 是意法半导体（ST）的一款单颗 N 沟道功率 MOSFET，额定漏源耐压 600V，连续漏极电流 10A，导通电阻为 420mΩ（VGS=10V）。器件采用 DPAK 表面贴装封装，适用于开放式开关与开关电源等高压功率应用。

二、关键参数一览

• 类型：N沟道功率 MOSFET（单颗）
• 漏源电压 Vdss：600V
• 连续漏极电流 Id：10A
• 导通电阻 RDS(on)：420mΩ @ VGS=10V
• 最大耗散功率 Pd：110W
• 阈值电压 VGS(th)：5V @ ID=250µA
• 栅极电荷 Qg：16.5nC @ VGS=10V
• 输入电容 Ciss：614pF；输出电容 Coss：32pF；反向传输电容 Crss：1.08pF
• 工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
• 封装：DPAK（表面贴装）

三、特性与性能要点

• 高耐压（600V）设计，适合高压开关场合和离线电源前端开关器件；
• 中等 RDS(on) 与较小 Coss/Crss 有利于在中低频率下兼顾导通与开关损耗；
• 栅极电荷 Qg=16.5nC 表示需要适当的驱动能力，推荐使用接近 10V 的栅压驱动以降低导通损耗；
• DPAK 封装便于散热贴片安装，但在高功率应用中需配合良好散热设计（散热垫、散热器或 PCB 铜箔）。

四、典型应用场景

• 开关电源（SMPS）高压开关器件
• 电机驱动、逆变器前端
• 灯具驱动与功率调制电路
• 需要 600V 耐压且对成本敏感的功率开关场合

五、使用建议与注意事项

• 推荐栅极驱动电压 10V，以达到规格化的 RDS(on)；避免长期在接近阈值电压下工作；
• 开关频率提高时需关注 Qg 和 Ciss 带来的驱动损耗与功率器件发热；
• DPAK 封装对 PCB 热阻敏感，请在 PCB 设计中增加散热铜箔和通孔热传导路径；
• 在高压应力或浪涌条件下，应考虑吸收器或 RC、TVS 等保护元件以延长器件寿命。

如需更详细的电气特性曲线、封装尺寸或 PCB 布局建议，可进一步提供 Datasheet 版本以便参考具体应用设计。