STB13N60M2 产品概述

一、产品简介

STB13N60M2 是一款高压 N 沟道功率场效应管（MOSFET），适用于中高压开关应用。器件额定漏源耐压为 600V，连续漏极电流可达 11A，最大耗散功率 110W。器件采用 TO-263（D2PAK/TO-263-3）封装，便于表面贴装与散热管理，适合开关电源与离线电源设计。

二、主要参数

• 类型：N 沟道 MOSFET
• 漏源耐压 Vdss：600V
• 连续漏极电流 Id：11A
• 导通电阻 RDS(on)：380 mΩ @ Vgs=10V, Id=5.5A
• 耗散功率 Pd：110W
• 阈值电压 Vgs(th)：4V @ 250 μA
• 总栅极电荷 Qg：17 nC @ Vgs=10V
• 输入电容 Ciss：580 pF；输出电容 Coss：32 pF；反向传输电容 Crss：1.1 pF
• 工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
• 封装：TO-263-3（表面贴装，大铜平面便于散热）

三、关键特性与设计要点

• 高耐压设计（600V）适合离线电源、功率因数校正（PFC）及高压开关应用。
• RDS(on) 在 Vgs=10V 时为 380 mΩ，需用足够的驱动电压（典型 10–12V）以确保低导通损耗；阈值 Vgs(th)=4V 表明该器件并非严格逻辑电平型，门极应避免直接由 3.3V 驱动。
• 栅极电荷 Qg=17 nC，表示中等栅极驱动需求；在高开关频率下，门极驱动能力与驱动损耗需重点考虑。
• Ciss/Crss 值表明 Miller 电容（Crss）较小，有利于减小电压翻转过程中的耦合，但仍需结合驱动速率选择合适的门阻与阻尼。

四、热管理与散热建议

• 标称耗散功率 110W 是在良好散热条件下的额定值，实际应用中需采用大铜箔、散热片或底部焊盘与散热垫结合，降低结到环境的热阻。
• 注意功耗计算：导通损耗约为 P_on ≈ I^2·RDS(on)（例如在 5.5A 时约 11.5W）；开关损耗则受开关频率、栅极电荷与器件电压摆幅影响。实际温升会使 RDS(on) 增大，需留有余量。

五、驱动与开关建议

• 推荐门极驱动电压 10–12V，以获得标称 RDS(on) 与稳定的开关特性。
• 平均栅极驱动电流计算：I_gate_avg = Qg · f_sw（例如 f_sw=100kHz 时 I≈1.7 mA）。瞬时峰值电流与上、下沿时间相关：I_peak ≈ Qg / t_r（若 t_r=50 ns，则峰值约 0.34 A），因此驱动器须能提供短时脉冲电流。
• 通过合理选择栅极电阻可在 EMI 与开关损耗之间权衡，必要时增加米勒电阻或 RC 缓冲以抑制振铃与应力。

六、典型应用

• 开关电源（SMPS）、离线转换器与初级开关
• 功率因数校正（PFC）级
• LED 驱动与高压恒流源
• 高压开关、保护电路与断路控制（需配合合适的钳位/吸收电路）

七、可靠性与使用注意

• 封装为 TO-263-3，焊接时需保证良好热接触并避免过热；在 PCB 设计中为漏极大铜焊盘并加热沉铜层以降低热阻。
• 对于感性负载开关，推荐添加吸收电路或 TVS 以限制能量回灌；注意体二极管的恢复特性可能影响开关过渡期的损耗与 EMI。
• 在实际设计中建议参考器件完整数据表以获取温度系数、热阻、极限脉冲能力（SOA）及典型开关波形等详细信息。

总结：STB13N60M2 是一款面向中高压开关场合的通用型 N 沟道 MOSFET，结合合理的热设计与合适的门极驱动，可在多种离线电源与高压开关应用中实现稳定可靠的性能。